0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

集成电路电浪涌的产生和预防

陕西航晶微电子有限公司 2022-07-29 10:33 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过载(EOS)损伤或烧毁。下面简聊下集成电路电浪涌的产生和预防。

1.什么是电浪涌(电过载EOS)

电源电网的波动,电路状态的变化,外来干扰信号的馈入以及旁邻元器件的失效,都会在电路中产生峰值很高的电流或电压脉冲,称为电浪涌(电过载EOS),电浪涌会使器件瞬间工作在超过最大额定值的状态下。电浪涌的平均功率很小,但瞬时功率很大,足以引起器件失效。有时较低功率的浪涌也会引起器件自激或CMOS电路闩锁效应而导致失效。电浪涌引起的失效占集成电路使用失效的50%以上。

2.电浪涌与静电的区别

静电和电浪涌的区别在于静电是电压高而能量小,而浪涌能量较大,所以静电失效的电路表面看不到失效点,功耗并不超标。而电浪涌损伤往往在开帽镜检时可以看到,往往伴随着功耗的增加。

异常电应力烧毁一个器件,靠的不是器件感受到多少电压,而是该电应力在器件上产生了多少焦耳的热能。就好比说,一个人站在几十千伏高压输电线下没事,而用手摸220V交流电就有事是一个道理。

焦耳定律:流过纯阻性负载上产生的热能:

Q=W=Uit=U²/R×t

若R=5Ω,U1=1000V(静电),t1=1us(静电),则静电在半导体上产生的热能为:

Q1=1000²V/5Ω×1uS=200 毫焦耳

若R=5Ω,U2=50V(电浪涌),t2=100ms(电浪涌),则电浪涌在半导体结上产生的热能为:

Q2=50²V/5Ω×100mS=50 焦耳

pYYBAGLjRueAQpLmAAAgi3OQwQo936.png

3.电路中产生电浪涌的原因

(a)电容负载接通时产生浪涌电流。开关电路驱动电容负载时,当电路中有电压突变时,由于电容上电压不能突变,就会产生一个为电容充电的瞬间电流。其大小为

pYYBAGLjRWuATCrUAAAHItCFHek990.png

例如一个稳压器,输出端接一个大电容,输入端没有接电容。在加电的瞬间,就会产生非常大的电流,将稳压器烧毁。

(b)电感负载关断时产生浪涌电压。当电路由开态向关态转换时,由于电感上的电流不能突变,在电感上就会产生一个阻止电流变化的浪涌电压。其大小为

poYBAGLjRcCACx1GAAAENkszgUY238.png

(c)当电路中使用输入或输出变压器时,在输入变压器初级或输出变压器次级开路状态下,会感应很高的电压,导致电路输入级或输出级损伤。

(d)电网电压的波动,特别是突然的停电和来电,也会产生很大的浪涌电压和浪涌电流。

(e)由于接线错误或操作失误,如加电顺序错误导致电路中某些晶体管正向击穿或反相击穿,不但晶体管特性变坏,还会引起浪涌电流。

(f)数字电路翻转可产生浪涌电流。数字电路的翻转过程往往是部分晶体管由导通转为截止,而另一部分晶体管由截止转为导通。晶体管都有相应的开关时间,即存储电荷的充放电时间,翻转时会出现两部分晶体管同时导通,就在电路中形成了浪涌电流。

4.电浪涌的预防

(a)正确的使用集成电路,包括正确连接、加电顺序、断电顺序、试验程序、操作方法等。认真检查外围电子元器件,防止外围电子元器件失效导致浪涌产生。

(b)对于产生浪涌电流的电路,原则上串入适当的电感或电阻来加以消除。

(c)对于产生浪涌电压的电路,原则上并联一个电阻,或一个二极管(电压浪涌发生时二极管应导通)来加以消除。

(d)设计中按集成电路使用说明书进行电路设计,该使用的元器件一定不要少,如消振电容、电源滤波电容等。

(e)避免输入变压器初级和输出变压器次级开路,必要时,可并联一个电阻或电容。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5446

    文章

    12464

    浏览量

    372623
  • 电浪涌
    +关注

    关注

    0

    文章

    3

    浏览量

    5663
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    CMOS集成电路中闩锁效应的产生与防护

    闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一种危险的寄生效应,可能导致芯片瞬间失效甚至永久烧毁。它的本质是由芯片内部的寄生PNP和NPN双极型晶体管(BJT)相互作用,形成类似可控硅(SCR)的结构,在特定条件下触发低阻抗通路,使电源(VDD)和地(GND)之间短路,引发大电流失控。
    的头像 发表于 10-21 17:30 1488次阅读
    CMOS<b class='flag-5'>集成电路</b>中闩锁效应的<b class='flag-5'>产生</b>与防护

    电机驱动与控制专用集成电路及应用

    的功率驱动部分。前级控制电路容易实现集成,通常是模拟数字混合集成电路。对于小功率系统,末级驱动电路也已集成化,称之为功率
    发表于 04-24 21:30

    电机控制专用集成电路PDF版

    本书共13章。第1章绪论,介绍国内外电机控制专用集成电路发展情况,电机控制和运动控制、智能功率集成电路概况,典型闭环控制系统可以集成的部分和要求。第2~7章,分别叙述直流电动机、无刷直流电动机、步进
    发表于 04-22 17:02

    中国集成电路大全 接口集成电路

    资料介绍本文系《中国集成电路大全》的接口集成电路分册,是国内第一次比较系统地介绍国产接口集成电路的系列、品种、特性和应用方而知识的书籍。全书共有总表、正文和附录三部分内容。总表部分列有国产接口
    发表于 04-21 16:33

    集成电路前段工艺的可靠性研究

    在之前的文章中我们已经对集成电路工艺的可靠性进行了简单的概述,本文将进一步探讨集成电路前段工艺可靠性。
    的头像 发表于 03-18 16:08 1477次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>前段工艺的可靠性研究

    集成电路技术的优势与挑战

    硅作为半导体材料在集成电路应用中的核心地位无可争议,然而,随着科技的进步和器件特征尺寸的不断缩小,硅集成电路技术正面临着一系列挑战,本文分述如下:1.硅集成电路的优势与地位;2.硅材料对CPU性能的影响;3.硅材料的技术革新。
    的头像 发表于 03-03 09:21 1194次阅读
    硅<b class='flag-5'>集成电路</b>技术的优势与挑战

    爱普生(EPSON) 集成电路IC

    随着技术的发展,Epson在集成电路(IC)方面的研发和生产也逐步成为其重要的业务之一。Epson的集成电路主要应用于各种电子设备中,包括消费类电子、工业设备、汽车电子等多个领域。爱普生利用极低
    的头像 发表于 02-26 17:01 710次阅读
    爱普生(EPSON) <b class='flag-5'>集成电路</b>IC

    集成电路为什么要封胶?

    集成电路为什么要封胶?汉思新材料:集成电路为什么要封胶集成电路封胶的主要原因在于提供多重保护和增强性能,具体来说包括以下几个方面:防止环境因素损害:集成电路在工作过程中可能会受到静电、
    的头像 发表于 02-14 10:28 866次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>为什么要封胶?

    集成电路的引脚识别及故障检测

    一、集成电路的引脚识别 集成电路是在同一块半导体材料上,利用各种不同的加工方法同时制作出许多极其微小的电阻、电容及晶体管等电路元器件,并将它们相互连接起来,使之具有特定功能的电路。半导
    的头像 发表于 02-11 14:21 1737次阅读

    集成电路制造设备的防震标准是如何制定的?

    集成电路制造设备的防震标准制定主要涉及以下几个方面:1,设备性能需求分析(1)精度要求:集成电路制造设备精度极高,如光刻机的光刻分辨率可达纳米级别,刻蚀机需精确控制刻蚀深度、宽度等。微小震动会使设备
    的头像 发表于 02-05 16:47 976次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>制造设备的防震标准是如何制定的?

    浪涌是如何产生浪涌产生因素介绍

    浪涌,作为电气系统中一种短暂却强大的瞬间过电压现象,可能对各类电气设备造成严重损害。了解浪涌产生的原因,对于采取有效的防护措施、保障电气设备的安全稳定运行至关重要。浪涌
    的头像 发表于 02-05 14:33 2591次阅读

    探索集成电路的奥秘

    在当今数字化的时代,电子技术改变着我们的生活方式。而集成电路,作为电子技术的核心驱动力,更是发挥着至关重要的作用。 集成电路,简称 IC,是将大量的晶体管、电阻、电容等电子元件以及它们之间的连线
    的头像 发表于 02-05 11:06 620次阅读

    集成电路封装的发展历程

    (1)集成电路封装 集成电路封装是指将制备合格芯片、元件等装配到载体上,采用适当连接技术形成电气连接,安装外壳,构成有效组件的整个过程,封装主要起着安放、固定、密封、保护芯片,以及确保电路性能和热性
    的头像 发表于 01-03 13:53 1561次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>封装的发展历程

    集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(三)集成电路ESD 测试与分析

    测量对于确定IC的EMC特性是必要的。只有准确了解IC的EMC特性,才能在生产前采取有效的预防措施,提高产品的抗ESD能力和EMC性能,避免后期因ESD干扰导致的产品故障和成本增加等问题集成电路ESD测试与分析1、测试环境与电场产生
    的头像 发表于 12-23 09:53 1356次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>电磁兼容性及应对措施相关分析(三)<b class='flag-5'>集成电路</b>ESD 测试与分析

    集成电路电磁兼容性及应对措施相关分析(三)—集成电路ESD 测试与分析

    和成本增加等问题 。 三、集成电路ESD 测试与分析 1、测试环境与电场产生 图5 使用 ESD 发生器的测量设置l 测试环境,集成电路(IC)被放置在一个由接地平面、隔离垫圈环和场源形 成的屏蔽空间内。接地平面:可起到接地保护
    的头像 发表于 12-20 09:14 1102次阅读
    <b class='flag-5'>集成电路</b>电磁兼容性及应对措施相关分析(三)—<b class='flag-5'>集成电路</b>ESD 测试与分析