0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

缺乏杀手级应用 消息称NAND闪存价格低迷或比预期更长

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2023-08-17 10:40 次阅读

据业界消息人士透露,nand闪存价格由于缺乏整理库存的“杀手”用途,有可能比预想更长时间停留在谷底。

台湾《电子时报》报道说,苹果公司的新一代iphone可以改善存储芯片制造商的销售,但从季节上看,2023年下半年家电市场的需求不会大幅增加。世界主要闪存企业已经报告了2023年上半年业绩低迷的情况,但第二季度的出货量正在持续改善。由于人工智能ai)对高带宽内存(hbm)和ddr5的需求,dram市场呈现出明显的增长势头。消息人士还补充说:“但是nand闪存市场几乎没有生成性人工智能(ai)带来的利好因素,终端机用机器市场上能够加速库存调整过程的应用需求也不多,因此预计nand闪存的价格将在相当一段时间内维持在最低点。”

《日经中国新闻网》报道说,随着nand闪存半导体市场状况长期恶化,制造企业可能会进一步减产。日本的盔甲决定推迟新工厂的工作时间。三星电子和sk海力士也有望进一步提高减产幅度。智能手机数码产品的需求没有恢复,供应过剩现象也没有消除。研究机构表示,考虑到这种艰难的市场状况,业界重组的可能性正在加强。

在7月末的业绩发布会上,三星曾表示今年将继续减少nand半导体的生产。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1688

    浏览量

    114234
  • iPhone
    +关注

    关注

    28

    文章

    13177

    浏览量

    200179
  • 存储芯片
    +关注

    关注

    11

    文章

    799

    浏览量

    42472
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星即将量产290层V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND(3D NAND闪存芯片。
    的头像 发表于 04-17 15:06 250次阅读

    西部数据调整NAND闪存和硬盘价格,因需求旺盛供应不足

    已证实,西部数据已向客户发函,宣布将对NAND闪存及硬盘产品价格进行调整。西部数据就产品供应困难发表声明,称市场需求远超预期,导致供应紧张,加剧了电子行业供应链问题。
    的头像 发表于 04-09 16:33 308次阅读

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

    三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就
    的头像 发表于 03-14 15:35 283次阅读

    三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

    三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
    的头像 发表于 11-03 17:21 1280次阅读

    三星喊NAND季季涨价20% 幅度超预期有利群联、威刚等运营

     据多名半导体业界消息人士称,三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后,决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand
    的头像 发表于 11-02 10:35 561次阅读

    三星西安工厂将引进236层NAND芯片生产设备

     三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气
    的头像 发表于 10-16 14:36 878次阅读

    DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨

    据消息人士透露,nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹,到目前为止已经上涨了10%以上。他表示:“nand价格上涨将为dram
    的头像 发表于 09-20 10:19 540次阅读

    NAND Flash第四季价格有望止跌回升,最高上涨5%

    业内人士说:“nand闪存价格将比dram快反弹”,“nand闪存供应商们的赤字继续扩大,因此销售价格
    的头像 发表于 09-11 14:56 545次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> Flash第四季<b class='flag-5'>价格</b>有望止跌回升,最高上涨5%

    为什么SD卡的速度预期的要低?

    为什么SD卡的速度预期的要低?
    发表于 09-07 07:36

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

    三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-
    发表于 08-21 18:30 321次阅读

    三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

    三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中
    的头像 发表于 08-16 10:23 457次阅读

    三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价 涨幅为15%

    据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调
    的头像 发表于 08-02 11:56 796次阅读

    NAND闪存内部结构解析

    NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。
    发表于 07-12 09:43 1552次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>内部结构解析

    开放NAND闪存接口ONFI介绍

    本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言   ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND
    的头像 发表于 06-21 17:36 6738次阅读
    开放<b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>接口ONFI介绍

    NAND闪存特点及决定因素

    内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND
    的头像 发表于 06-10 17:21 2039次阅读