佰维存储面向旗舰智能手机推出UFS3.1高速闪存

手机“性能铁三角”——SoC、运行内存、闪存决定了一款手机的用户体验和定位，其中存储器性能和容量对用户体验的影响越来越大。

针对旗舰智能手机，佰维推出了UFS3.1高速闪存，写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上，读取速度高达2100MB/s，容量高达256GB(未来将推出512GB、1TB容量)，尺寸为11.5×13.0×1.0mm。值得一提的是，佰维UFS2.2闪存已通过联发科、展锐等主流SoC平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存储搭配方案，其中佰维LPDDR5产品的运行速度高达6400Mbps，容量最高可达64Gb。

固件算法是构造存储器高性能、低功耗等特性的核心所在，佰维依托自研固件算法能力，同时根据JEDEC 发布的UFS 3.1 规范，为UFS 3.1自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。佰维UFS3.1优异的表现，助力提升移动智能终端高清视频解码、程序安装启动、连续快拍、相册图片载入、大文件拷贝、游戏加载等使用体验。

在嵌入式存储领域，佰维是国内市场份额前列的自主品牌企业，目前公司产品已进入主流智能终端厂商的供应链体系。未来，佰维将持续深化研发封测一体化布局，发挥公司在嵌入式存储领域的先发优势，赋能移动智能终端市场和客户。

审核编辑：汤梓红