【芯闻时译】扩展摩尔定律

来源：半导体芯科技编译

CEA-Leti和英特尔宣布了一项联合研究项目，旨在开发二维过渡金属硫化合物（2D TMD）在300mm晶圆上的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到2030年以后。

2D层半导体，如钼基和钨基TMD，是扩展摩尔定律并确保MOSFET晶体管最终成为有希望的候选材料，因为2D-FET提供固有的亚1nm晶体管沟道厚度。它们适用于高性能和低功耗平台，因为它们具有良好的载流子运输和移动性，即使是原子薄层也是如此。此外，它们的器件主体厚度和适中的能带间隙增强了静电控制，从而降低关态电流。

这些特性使2D-FET堆叠纳米片器件成为2030年以后晶体管缩放的有前途的解决方案，这将需要高质量的2D沟道生长，适应性转移和稳健的工艺模块。为此，这个为期多年的项目将开发一种可行的层转移技术，将高质量2D材料（生长在300mm优选基板上）转移到另一个器件基板上，用于晶体管工艺集成。英特尔为该项目带来了数十年的研发和制造专业知识，CEA-Leti还提供键合和转移层专业知识以及大规模表征。

“随着我们不断推动摩尔定律，2D TMD材料是未来扩展晶体管扩展极限的有前途的选择，”英特尔技术开发高级研究员兼英特尔欧洲研究总监Robert Chau说。“该研究计划的重点是开发一种可行的基于300mm的2D TMD技术，用于未来的摩尔定律晶体管。

英特尔利用其在半导体和封装研究和技术方面的实力和专业知识，与欧洲合作伙伴合作，开发摩尔定律创新技术，并推动欧洲微电子技术的发展。2022 年，Chau 从美国调往欧洲，领导英特尔欧洲研究院，并与欧洲大陆的合作伙伴一起推动英特尔的研发。英特尔和CEA-Leti在半导体设计、工艺和封装技术方面有着悠久的密切合作历史。

最近，他们于 2022 年 6 月宣布了一项新型裸片到晶圆键合技术的研究突破，该技术使用自组装工艺进行未来的芯片集成。Chau于6月16日访问了CEA-Leti的格勒诺布尔总部，强调他们合作和项目启动的重要性，他一直是两个实体之间多年研究合作的坚定支持者。

CEA-Leti首席执行官Sebastien Dauvé表示，行业路线图显示，二维材料将集成到未来的微电子器件中，而300毫米晶圆的转移能力将是集成的关键。

"由于二维材料的生长温度超过700°C，并且在优选基底上高质量生长，因此二维材料很难像普通薄层一样堆叠沉积。Dauvé说："因此，转移最有希望将它们集成到未来的器件中，而CEA-Leti在这方面的优势在于其在转移开发和表征方面的专业知识和专有技术。

审核编辑 黄宇