志橙半导体创业板IPO受理！CVD碳化硅零部件市占中国第五，募资8亿研发SiC材料等

电子发烧友网报道（文/刘静）6月26日，深圳市志橙半导体材料股份有限公司（以下简称：志橙半导体）创业板IPO申请获受理。

志橙半导体本次公开发行新股数量不超过2000万股，募集8亿元资金，用于SiC材料研发制造总部项目、SiC材料研发项目等。

志橙半导体成立于2017年，聚焦半导体设备的碳化硅涂层石墨零部件产品，并提供相关碳化硅涂层服务，主要产品可用于碳化硅外延设备、MOCVD设备、硅外延设备等多种半导体设备反应腔内。

根据QY Research统计数据，2021年CVD碳化硅零部件全球市场前六大厂商的市场份额合计接近70%，志橙半导体以2.02%的市场占有率跻身全球第十，为前十大厂商中唯一的中国厂商；2021年，CVD碳化硅零部件中国市场前四大厂商的市场份额合计接近80%，较全球市场集中度更高，志橙半导体以9.05%的市场占有率在中国市场排名第五，在中国企业中排名第一。

天眼查显示，此前志橙半导体共完成3轮融资，投资方包括兴橙资本、银河源汇、华拓资本、粤财创投、鑫芯创投、国投创合等等。公司控股股东及实际控制人为朱佰喜，其直接持有公司15.50%的股份，并通过三个持股平台分别持有公司8.84%、3.08%和0.99%股份，合计控制公司28.42%的股权。

三年营收翻涨近6倍，SiC外延设备零部件业务表现强劲

报告期内，志橙半导体实现的营业收入分别为0.42亿元、1.19亿元、2.76亿元，三年营收翻涨近6倍，年复合增长率高达156.35%；同期取得的归母净利润分别为0.16亿元、0.51亿元、1.15亿元，年复合增长率比营收更高，达168.10%。总体来看，营收和净利均呈现出快速增长的趋势。

2020年、2021年及2022年，志橙半导体主营业务毛利率分别为72.77%、78.15%及78.49%，毛利率保持在较高水平，且呈逐年上升的趋势。

目前，志橙半导体主要产品包括SiC外延设备、MOCVD设备、Si外延设备用碳化硅涂层石墨零部件，并持续开发半导体设备用实体碳化硅零部件、烧结碳化硅零部件等新产品。

报告期内，志橙半导体主营业务收入按产品分类构成情况如下：

志橙半导体营收最主要来源于半导体设备零部件业务，其中营收占比最大的是SiC外延设备零部件产品，报告期内该产品销售收入高速增长，从2020年的455万元冲到2022年的1.1亿元，SiC外延设备零部件销量突破33062件。SiC外延设备是应用化学气相沉积法在碳化硅衬底上沿其原来的晶向再生长一层同质或异质SiC薄膜的设备。志橙半导体SiC外延设备零部件代表产品主要有6吋托盘、上半月件、下半月件，新能源汽车为主要终端市场。

MOCVD设备零部件是志橙半导体营收的第二大来源，2021年该产品收入同比增长129.80%至0.64亿元，2022年进一步增长至0.66亿元。志橙半导体MOCVD设备零部件代表产品主要为41片4吋石墨基座、36片4吋石墨基座、19片2吋石墨基座。

2022年志橙半导体三大板块业务：半导体设备零部件、涂层服务、外购零部件同比增速分别为87.33%、475.56%、360.09%，涂层服务和外部零部件业务大幅提升。

截至本招股说明书签署日，志橙半导体用于刻蚀设备的实体碳化硅零部件产品聚焦环已取得研发突破，进入客户验证阶段。其客户主要为半导体设备厂、外延片厂及晶圆厂。招股书显示，志橙半导体2022年的前五大客户为客户A、三安光电、电科集团、瀚天天成、北方华创，合计销售金额为1.44亿元，占当期营业收入的比例为52.19%。

与同行企业比较：业务规模较小，产品类型较为单一，研发费用率较高

在半导体设备用碳化硅涂层石墨零部件领域，东海碳素、崇德昱博、西格里碳素、东洋炭素、阔斯泰等国际龙头成立时间长，且北美、欧洲、日韩等地区半导体市场发展程度高，国际材料及零部件龙头公司产品线布局相对完善，占据较高的市场份额。

境内半导体设备用碳化硅涂层石墨零部件行业内的主要企业为德智新材料、六方科技、成都超纯、富创精密、神工股份、金博股份。

2022年志橙半导体与同行企业在营业收入、归母净利润、总资产方面进行比较，具体如下所示：

志橙半导体与国际同业相比公司业务规模较小，资金实力较弱，产品类型较为单一，综合竞争力仍存在不足。在技术水平上，志橙半导体主要产品在典型膜厚、表面粗糙度、热膨胀系数（线）等指标上与西格里碳素、东海碳素部分国际同业对标产品一致性较高，技术实力及产品竞争力较强。若志橙半导体不能增强技术储备、提高经营规模、增强资本实力，在行业全球化竞争中，可能导致志橙半导体市场竞争力下降、经营业绩下滑。

志橙半导体重视科技创新的发展，报告期内，志橙半导体研发费用分别为433.29万元、1367.21万元和2708.90万元，研发费用率分别为10.20%、11.48%和9.82%。志橙半导体研发费用占营业收入的比例均高于同行业可比公司平均水平，据了解主要是由于报告期内志橙半导体在涂层技术迭代及实体碳化硅等新研发方向上投入较高所致。

截至本招股说明书签署日，志橙半导体共获国内授权专利41项，其中发明专利24项，实用新型专利17项。除碳化硅涂层石墨基座等代表产品外，志橙半导体还积极拓展实体碳化硅、烧结碳化硅等新产品的研发并取得阶段性进展。

募资8亿研发SiC材料产品及技术

志橙半导体此次冲刺创业板IPO，拟募集8亿元资金，投入以下三大项目：

SiC材料研发制造总部项目，志橙半导体拟投入3.15亿元募集资金，建设1栋生产车间、1栋研发办公楼、1栋动力站、1栋甲类库。该募投项目建设完成后，主要从事半导体设备用碳化硅零部件的生产和研发，包括碳化硅涂层石墨零部件和实体碳化硅零部件等产品。

SiC材料研发项目，志橙半导体拟投入2.87亿元资金，开展以下四大方向研发工作：碳化硅涂层石墨零部件研发和技术改进项目、实体碳化硅产品及技术研发项目、烧结碳化硅产品及技术研发项目、TaC涂层石墨产品及技术研发项目。

其中碳化硅涂层石墨零部件研发和技术改进项目，将开展用于生产的CVD碳化硅沉积炉及其集群数据采集系统、架构及工艺配方软件的开发，核心原材料的超高纯度纯化工艺的研发。实体碳化硅产品及技术研发项目，将围绕等离子刻蚀等集成电路制造设备所用到的碳化硅零部件，重点研发聚焦环、顶盖、陪片、喷淋头等产品。

烧结碳化硅产品及技术研发项目，则拟研发使用碳化硅原料粉体纯化技术、超声波清洗技术、超薄管壁凝胶成型技术及CVD涂层等相关技术。TaC涂层石墨产品及技术研发项目，研发可大规模生产致密均匀的TaC涂层石墨部件的工艺路线，制备TaC涂层的石墨产品，用于碳化硅外延设备或碳化硅单晶炉设备。