国芯思辰 |国产铁电存储器PB85RS2MC在可移动数据采集器中的应用

在数据采集中，某些变化缓慢的直流信号，需要长时间监测记录信号变化历史的场合，用性能可靠的移动存储器接在工作现场进行数据自动记录采集，待采集完成后取回并接到计算机读取分析，是解决这类问题的最佳办法。本文介绍的移动数据采集器，关键在于解决移动时掉电数据保持问题以及在大容量的存储空间保证足够的分辨率和记录时长。

掉电数据保持常用的存储器有EEPROM和FLASH，或者用SRAM存储器加电池的办法解决，但EEPROM读写速度低，容易受干扰，存在读写次数的限制(一般只有10万次)，SRAM加电池的办法则线路复杂，可靠性差，移动时容易造成数据丢失。

国产新型铁电存储器（FRAM）PB85RS2MC为电子技术、计算机技术的普及和发展开辟了许多新的可能性，它与EEPROM比较，具有诸多的优势，例如重写速度高达100万，而功耗4.8毫安，它具备静态随机存储器SRAM一样的快速读写数据和低功耗操作的优点，又具有EEPROM存储部样的掉电数据保持的特性。几乎可以把它当作SRAM来使用，采用这种存储器做移动采集器具有可靠性高、读写速度快、使用寿命长的优点。

PB85RS2MC是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，不需要电池就可以保持数据，该存储器优秀的性能可以替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯），且PB85RS2MC有一定的价格优势，国芯思辰可提供专业的技术支持。

国产铁电存储器PB85RS2MC性能特征：

•容量：2M bit，接口类型：SPI接口(模式0和模式3)

•工作电压：2.7伏至3.6伏，工作频率：25兆赫兹

•功耗：4.8毫安（25兆赫兹），待机功耗9微安

•高速读特性：支持40MHz高速读命令

•工作环境温度范围：-40℃至85℃

•封装形式：8引脚SOP宽体208mil封装，符合RoHS

注：如涉及作品版权问题，请联系删除。