博捷芯:半导体划片设备之脆性材料切割方式
单次划片,即一次完全划片硅片,切割深度达到UV膜厚的1/2,如下图所示。 该方法工艺简单,适用于切割超薄材料。 但刀具在切削过程中磨损严重,切削路径边缘易产生崩刃和毛刺。 由于磨削力的影响,材料的表面和亚表面容易产生裂纹等缺陷。
针对硬脆材料划切工艺存在的缺陷,本文提出分层划切工艺方法,如下图所示。 根据被切削材料的厚度,在切削深度方向采用分层(阶梯式)进给方式进行切削。 首先进行开槽切削,采用比较小的进给深度,保证对刀具的受力小,减少刀具。 磨损,减少切割线正面的崩边,然后沿第一条切割线继续切割。
需要保证两种切割方式切割过程中切割膜的厚度。 切膜过深时,会切穿膜,导致工件板失去真空能力,无法固定硅片; 切膜过浅会造成硅片背面塌陷。 因此,严肃地说,切割过程必须保证最后切割的深度。
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