0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

国芯思辰|国产碳化硅可替代科锐C2M0160120D应用服务器电源中

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2023-01-29 15:39 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

服务器作为网络的节点存储,处理着网络上80%以上的数据和相关信息,需要24*7不间断运行,承载着整个企业甚至全球各地的访问任务,这主要归功于其高性能、高可靠性电源设计。

服务器的电源设计趋势主要在于高密度、体积小、功率大并且效率高,因此优良的碳化硅功率器件可以满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性要求。碳化硅MOSFET是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件,因其高耐压、低损耗、高效率等特性,一直被视为“理想器件”,在大功率电源的应用方案中可以显著提高电能利用率。例如目前的新能源汽车,光伏,储能,大功率电源及高端工业都是碳化硅功率器件的主要应用场景,本文重点提到国产基本半导体的碳化硅MOSFET B1M160120HC在服务器电源中的应用。

基本半导体是全球领先的碳化硅功率器件制造商,其覆盖的碳化硅MOS方案凭借其优良的性能,常用于大功率元器件中。基本半导体的碳化硅MOSFET B1M160120HC可以给服务器电源提供更高开关频率,更高的系统效率,同时可以降低服务器系统的尺寸和重量,并能够使电源更能适应恶劣环境的影响,延长服务器的使用寿命;以下是B1M160120HC的主要应用优势:

1、B1M160120HC具有导通电阻低、开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路;

2、B1M160120HC具有超低内阻,可在大功率应用中降低模块的冷却要求;

3、B1M160120HC的结温范围为-55°~150°,具有较低的热耗散和开关损耗,满足工业电源的工作环境;

4、B1M160120HC可完全替代科锐C2M0160120D,提供TO-247-3封装;

综上,基本半导体的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全满足服务器电源的设计方案,国芯思辰拥有完整的供应链和全面设计支持,可以提供优良的碳化硅产品;该产品价格也非常有优势,如需样品,可以在国芯思辰官网进行申请。

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源
    +关注

    关注

    185

    文章

    18986

    浏览量

    264562
  • 服务器
    +关注

    关注

    14

    文章

    10364

    浏览量

    91761
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3548

    浏览量

    52666
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET:国产替代的价格革命

    一、什么是 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET? 1200V 80mΩ 碳化硅 MOSFET 是一种耐压 1200 伏、典型导通电阻 80 毫欧的
    的头像 发表于 04-25 10:16 249次阅读

    茂微电子正式推出2.7KW/5.5KW全碳化硅AI服务器电源解决方案

    大模型时代,单台AI服务器功耗正从1KW飙升至5KW甚至更高,传统硅基电源在功率密度与转换效率上已逼近物理极限。面对这一挑战,茂微电子正式推出 2.7KW/5.5KW全碳化硅AI
    的头像 发表于 04-14 16:19 775次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>茂微电子正式推出2.7KW/5.5KW全<b class='flag-5'>碳化硅</b>AI<b class='flag-5'>服务器</b><b class='flag-5'>电源</b>解决方案

    安森美SiC JFET驱动工业与服务器电源革新

    碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构
    的头像 发表于 03-25 15:32 1844次阅读
    安森美SiC JFET驱动工业与<b class='flag-5'>服务器</b><b class='flag-5'>电源</b>革新

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    废物、高热值工业危废焚烧领域,工况温度常需维持在1200℃以上,且烟气腐蚀性强。采用高纯氮化硅结合碳化硅的复合内胆,其服役寿命较传统高铝或普通碳化硅材料提升2-3倍。基于此,核心应用场
    发表于 03-20 11:23

    双脉冲测试技术解析报告:国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的验证与性能评估

    双脉冲测试技术解析报告:国产碳化硅(SiC)功率模块替代进口IGBT模块的验证与性能评估 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接的分销商。主要
    的头像 发表于 12-15 07:48 919次阅读
    双脉冲测试技术解析报告:<b class='flag-5'>国产</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率模块<b class='flag-5'>替代</b>进口IGBT模块的验证与性能评估

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告

    基于SiC碳化硅功率器件的一级能效超大功率充电桩电源模块深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接的分销商。主要服务于中国工业
    的头像 发表于 12-14 07:32 1720次阅读
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的<b class='flag-5'>c</b>研究报告

    国产碳化硅MOSFET在储能与逆变器市场替代IGBT单管的分析报告

    国产碳化硅MOSFET在储能与逆变器市场替代IGBT单管的分析报告:基于可靠性与性能的全面评估 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接的分销商。主
    的头像 发表于 12-11 08:39 2225次阅读
    <b class='flag-5'>国产</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在储能与逆变器市场<b class='flag-5'>替代</b>IGBT单管的分析报告

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z在15kW混合逆变器的应用
    的头像 发表于 11-24 04:57 563次阅读
    倾佳电子市场报告:<b class='flag-5'>国产</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>户用储能领域的战略突破

    倾佳电子研究报告:B2M600170R与B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在电力电子辅助电源的应用

    倾佳电子研究报告:B2M600170R与B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在电力电子辅助电源的应用与
    的头像 发表于 11-21 21:29 1414次阅读
    倾佳电子研究报告:B<b class='flag-5'>2M</b>600170R与B<b class='flag-5'>2M</b>600170H 1700V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在电力电子辅助<b class='flag-5'>电源</b><b class='flag-5'>中</b>的应用

    碳化硅在电机驱动的应用

    今天碳化硅器件已经在多种应用取得商业的成功。碳化硅MOSFET已被证明是硅IGBT在太阳能、储能系统、电动汽车充电器和电动汽车等领域的商业可行替代品。
    的头像 发表于 08-29 14:38 7375次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在电机驱动<b class='flag-5'>中</b>的应用

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)生产的1200V、450A
    发表于 06-25 09:13

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    在Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 1246次阅读

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产
    的头像 发表于 06-07 06:17 1477次阅读

    国产SiC碳化硅MOSFET在有源滤波(APF)的革新应用

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片,SiC功率模块驱动板,
    的头像 发表于 05-10 13:38 1263次阅读
    <b class='flag-5'>国产</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源滤波<b class='flag-5'>器</b>(APF)<b class='flag-5'>中</b>的革新应用

    深度分析650V国产碳化硅MOSFET的产品力及替代高压GaN器件的潜力

    深度分析B3M040065Z和B3M040065L的产品力及替代高压GaN器件的潜力 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接及功率半导体(SiC
    的头像 发表于 05-04 11:15 814次阅读
    深度分析650V<b class='flag-5'>国产</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的产品力及<b class='flag-5'>替代</b>高压GaN器件的潜力