导通内阻仅50mΩ的N沟道MOS管ASDM60N03ZA用于闹钟模块，可降低系统整体功耗水平

在闹钟模块设计中需要控制蜂鸣器电路的导通来控制蜂鸣器的发声与否，常常有两种方式可以实现电路导通的控制：

1、通过三极管作为开关器件控制电路导通；

2、通过MOS作为开关器件控制电路导通。

但是三级管的内阻比MOS的内阻大，意味着其电路导通时电流通过三极管时消耗的能力比MOS消耗的能量要多得多，因此在低功耗场景下往往优先选择MOS作为开关器件控制电路。本文推荐安森德的N沟道MOS管ASDM60N03ZA用于闹钟模块来降低系统整体功耗水平。

闹钟模块常见的应用电路图如图所示：

MCU通过输出高低电平信号来控制ASDM60N03ZA的导通与否，因为MCU输出的高电平信号一般为3.3V左右，因此N-MOS的阈值电压Vgsth需小于3.3V才能在MCU输出高电平时能完全导通，MCU的低电平信号为0V左右所以阈值电压Vgsth的最小值要大于0V，ASDM60N03ZA的阈值电压为1V到2.5V满足上述要求，且不易造成误导通情况的发生，同时ASDM60N03ZA的导通内阻仅为50mΩ，大大减少因为内阻做功消耗掉的能量。

ASDM60N03ZA封装图

以下为ASDM60N03ZA的其他优势点：

1、漏源电压Vds=60V，满足绝大多数电池供电产品的耐压要求。

2、漏级电流Id=3A，可适用于3A以下的电源电路中，在消费领域适用范围广。

3、可Pin to Pin替代AOS/美国万代的A03416，国产替代进口。

国芯思辰批量供应安森德ASDM60N03ZA，有需要的客户可在国芯思辰官网进行样品申请。

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