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矽力杰开启光储融合芯时代

矽力杰半导体 2022-04-15 17:17 次阅读
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在中国新能源发电规模大幅增长、锂电池成本持续下降而储能技术是紧紧牵动着新能源行业发展的,储能具有消除昼夜峰谷差,实现平滑输出、调峰调频和备用容量的作用,满足了新能源发电平稳、安全接入电网的要求。随着分布式光伏、分散式风电等分布式能源的大规模推广,储能行业将面临更广阔的市场机遇。

储能系统

完整储能系统主要由电池组、电池管理系统(BMS)、能量管理系统(EMS)、储能变流器(PCS)以及其他电气设备构成。电池组是储能系统最主要的构成部分;电池管理系统主要负责电池的监测、评估、保护以及均衡等;能量管理系统负责数据采集、网络监控和能量调度等;储能变流器可以控制储能电池组的充电和放电过程,进行交直流的变换。

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*储能系统结构

矽力杰储能变流器解决方案

储能变流器(PCS)可控制蓄电池的充电和放电过程,进行交直流的变换,在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。

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PCS由AC/DC双向变流器、控制单元等构成。PCS控制器通过CAN接口与BMS通讯,获取电池组状态信息,可实现对电池的保护性充放电,确保电池运行安全。

矽力杰储能变流器解决方案可提供高可靠性的电源模块,AC/DC稳压器,DC/DC转换芯片,开关保护芯片,Hall电流传感器,静电保护等方案。

01

AC/DC反激式稳压器

SQ33040

CCM+QR模式SSR反激控制器

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◆额定开关频率: 65kHz

◆CCM+QR组合工作模式

◆降频及突发模式控制

◆最小开关频率限制为25kHz

◆fsw调制以降低EMI噪声

◆ZCS引脚的可编程掉电保护

◆通过ZCS引脚的可编程输出OVP

◆通过CS引脚的可编程外部OTP

◆OLP/VCC OVP/内部OTP

◆副边二极管短路保护

◆通用输入范围内的OCP补偿

◆低启动电流: <4uA

◆门极驱动: 210mA/420mA (开通/关断)

◆内部软启动过程

◆紧凑的封装: SOT23-6

SY50455

SSR反激式稳压器

d39c8dd0-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

◆ 集成900V MOSFET

◆ 65kHz伪固定频率

◆ 次级侧调节

◆ PWM/PFM控制以提高效率

◆ 25kHz开关频率以消除可听噪声

高压启动

◆ 频率调制以促进EMI设计

◆ 低空载功耗

◆ BO/OLP/SCP/VCC OVP/OTP可靠保护

◆ 符合RoHS且无卤素

◆ 紧凑型封装: DIP7

SY50655

SSR反激式稳压器

d3b75430-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

◆ 集成1200V MOSFET

◆ 30kHz伪固定频率

◆ 次级侧调节

◆ 内部高压启动

◆ 频率调制以促进EMI设计

◆ 突发模式控制,可实现低空载功耗

◆ 可靠的OLP/VCC OVP/OTP保护

◆ 紧凑型封装: DIP7

02

PWM转换器

SQ38852A

具有片上电源开关和启动电路的PWM转换器

d3c9d6be-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

◆具有片上200V电源开关电路和启动电路

◆可编程开关频率

◆输入欠压/过压检测器

◆内部逐周期限流

◆为电路安全要求提供可靠保护

◆符合 RoHS 标准且无卤素

◆紧凑型封装:DFN4×4-8

03

DC-DC

SQ27403

高效3.5A, 40V同步降压稳压器

◆输入电压范围: 4.2~40V

◆输出电流: 3.5A

◆内置低导通电阻开关: 115/80mΩ

◆ 内部软启动限制浪涌电流

◆可调开关频率范围: 0.3~2.2MHz

◆±2% 0.6V 基准电压精度

(-40°C~105°C温度范围内)

◆逐周期峰值电流限制

◆短路保护

◆热关断和自动恢复

◆紧凑型封装: SO8E

d3e0e264-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

SQ28703/4

3A/4A高效同步降压稳压器

◆ 输入电压:2.5~6V

◆低静态电流:23μA

◆瞬时PWM快速瞬态响应

◆2.4MHz fSW简化外部元件

◆内部软启动限制浪涌电流

◆100%占空比工作

◆输出自动放电功能

◆打嗝式短路保护

◆紧凑型封装:DFN2×2-7

d3fa5bfe-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

04

电源模块

SQ79002

隔离电源模块

◆3000Vdc 隔离

◆输入电压范围: 4.5~14V

◆次级输出: 5V/1W

◆±1%典型负载调节

◆内部软启动限制浪涌电流

◆输入欠压/过温/过流/短路保护

◆符合RoHS标准且无卤素

◆紧凑型封装: QFN4×5.5×4.55mm

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05

LDO

SQ24301

超低压降1A LDO稳压器

◆ 输入电压范围: 1.6~5.5V

◆ 输出电压精度: ±5%

◆ 输出电流: 1A

◆ 低压差:

♢ Typ.0.32V@IO=1A, VO=1.5V

♢ Typ.0.18V@ IO=1A, VO=2.8V

◆ 限流/过热保护

◆ 静态电流: 60μA

◆ 输出自动放电功能

◆符合RoHS标准且无卤素

◆ 紧凑型封装: DFN3×3-6

◆工作温度: -40~+125°C

d42c3c8c-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

06

复位芯片

SQ24370F

超小封装复位芯片

◆ 可调电压阈值低至500mV

◆ 阈值精度: 1%(全温范围)

◆ 延迟电容可调

◆ 低静态电流: 9μA(典型值)

◆ 外置使能输入

◆ 开漏输出电压(额定18V)

◆ 温度范围:-40°C~125°C

◆ 超小封装: DFN1.45x1.0-6

d43a0bfa-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

07

电源保护开关

SY6885B

60V, 5A保护开关

◆宽输入电压范围:4V~48V

◆浪涌电压: 60V

◆低偏置电流: 100μA 典型值

◆ 低集成导通电阻保护开关: 40mΩ

◆可编程限流

◆可编程软启动时间

◆OCP/TSD/OVP保护: 自动恢复

◆可调阈值和自动恢复的过压保护

◆可编程输出电压钳位

◆符合RoHS标准且无卤素

◆紧凑型封装:QFN3×3-16

d45e2f3a-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

08

Hall电流传感器

SYCT系列

基于Hall感应的开环型电流传感器芯片

◆应用hall感应原理的开环型电流传感器

◆单电源5V供电

◆支持单/双向输出

模拟信号输出

◆原边测量电流: ±50A~±200A

◆工作温度: -40~+125°C

150A: -40~+105°C

200A: -40~+85°C

◆良好的精度、线性度以及温漂

◆低内阻可有效控制发热功耗

d474829e-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

SYCK-BS系列

基于Hall感应的开环型电流传感器模块

◆ 额定测量电流:50~600A

◆测量范围: 150~900A

高精度

◆低温度漂移

◆强抗干扰

◆可应用于交流变速器直流电机中的静态转换器及各种电源

d4871742-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

09

静电保护

SAT01N24

LIN总线保护瞬态抑制二极管

◆高速数据线的瞬态保护

◆IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV

◆IEC 61000-4-5 (Surge) 4A (8/20μs)

◆保护一条LIN总线

◆低电容: 12pF(典型值)

◆低漏电流: 0.01μA @VRWM(典型值)

◆每个I / O引脚可承受1000次ESD冲击,实现±8kV接触放电

◆通过AEC-Q101 认证

d4a603d2-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

SAT03N24

CAN总线保护瞬态抑制二极管

◆ 高速数据线的瞬态保护

◆ IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV

◆ IEC 61000-4-5 (Surge) 4A (8/20μs)

◆ 保护两条数据,控制或CAN总线

◆ 低电容: 12pF(典型值)

◆ 低漏电流: 0.01μA@VRWM(典型值)

◆ 符合AEC-Q101标准

◆ 每个I / O引脚可承受1000次ESD冲击,实现±8kV接触放电

d4a603d2-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.png

SYS11U03

低电容静电保护器

◆ 高速数据线的瞬态保护:

◆IEC 61000-4-2(静电)±30kV

◆IEC 61000-4-5(浪涌) 550W

◆ 工作电压: -5~5V

◆ 低电容: 0.6pF(典型值)

◆ 低泄漏电流: 0.01μA@VRWM

◆ 低钳位电压

◆ 每个I / O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击

d4cfa66a-bb55-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

SYS14L02

低电容静电保护器

◆ 高速数据线瞬态保护

◆ IEC 61000-4-2(静电)±30kV

◆ IEC 61000-4-4(快速瞬时脉冲)

40A(5/50ns)

◆ IEC 61000-4-5(浪涌) 40A(8/20μs)

◆ 具有针对高速线路优化的封装

◆ 可对两条线进行保护

◆ 低电容:3.0pF @ 0V(Typ.)

◆ 低泄漏电流:0.1μA @ VRWM(Typ.)

◆ 低工作电压和钳位电压

◆ 每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击

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