MT28EW01GABA1HPC-0SIT STOCK

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NOR Flash 并行 3.3V 1Gbit 128M/64M X 8bit/16bit 95ns 64-Pin LBGA T/R

MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR制造商： 美光
产品类别： 内存、 闪存

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

该设备是一个异步、统一块、并行的 NOR 闪存设备。READ、ERASE 和 PROGRAM 操作使用单个低电压电源执行。上电后，设备默认为读取阵列模式。主存储器阵列被划分为可以独立擦除的统一块，以便在清除旧数据的同时保留有效数据。PROGRAM 和ERASE 命令写入存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器通过处理更新存储器内容所需的所有特殊操作来简化编程或擦除存储器的过程。可以检测到程序或擦除操作的结束，并且可以识别任何错误条件。控制设备所需的命令集符合 JEDEC 标准。CE#、OE#、和 WE# 控制设备的总线操作并实现与大多数微处理器的简单连接，通常不需要额外的逻辑。该设备支持从阵列的所有块进行异步随机读取和页面读取。它还具有一个内部程序缓冲区，可通过一个命令序列对 512 个字进行编程，从而提高吞吐量。一个 128 字的扩展内存块与数组块 0 的地址重叠。用户可以编程这个额外的空间，然后保护它以永久保护内容。该设备还具有不同级别的硬件和软件保护，以保护块免受不必要的修改。它还具有一个内部程序缓冲区，可通过一个命令序列对 512 个字进行编程，从而提高吞吐量。一个 128 字的扩展内存块与数组块 0 的地址重叠。用户可以编程这个额外的空间，然后保护它以永久保护内容。该设备还具有不同级别的硬件和软件保护，以保护块免受不必要的修改。它还具有一个内部程序缓冲区，可通过一个命令序列对 512 个字进行编程，从而提高吞吐量。一个 128 字的扩展内存块与数组块 0 的地址重叠。用户可以编程这个额外的空间，然后保护它以永久保护内容。该设备还具有不同级别的硬件和软件保护，以保护块免受不必要的修改。

主要特点

• 单层单元 (SLC) 工艺技术
• 密度：1Gb
• 电源电压
  • VCC = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）
  • VCCQ = 1.65 - VCC（I/O 缓冲器）
• 异步随机/页面读取
  • 页大小：16 字或 32 字节
  • 页访问：20ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 随机存取：105ns（VCC = VCCQ = 2.7-3.6V）
  • 随机存取：110ns（VCCQ = 1.65-VCC）
• 缓冲区程序（512 字程序缓冲区）
  • 使用全缓冲程序时为 2.0 MB/s (TYP)
  • 使用加速缓冲程序 (VHH) 时为 2.5 MB/s (TYP)
• 字/字节程序：每字 25us (TYP)
• 块擦除（128KB）：0.2s（典型值）
• 记忆组织
  • 统一块：每个 128KB 或 64KW
  • x8/x16 数据总线
• 编程/擦除挂起和恢复功能
  • 在 PROGRAM SUSPEND 操作期间从另一个块读取
  • 在 ERASE SUSPEND 操作期间读取或编程另一个块
• 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲区功能