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投资228亿!意法半导体与三安光电将合资建厂

感知芯视界 来源:满天芯 作者:满天芯 2023-06-09 09:05 次阅读

来源:满天芯,谢谢

编辑:感知芯视界

6月7日,意法半导体和三安光电先后官宣,双方拟合资建造一座可实现大规模量产的8英寸碳化硅器件工厂。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元(约合人民币228亿元)。上述项目仍需监管部门批准。

228亿元联手建厂

据意法半导体介绍,预计合资工厂建设总投资约32亿美元,其中未来5年资本支出约24亿美元。具体到三安光电,其将通过子公司湖南三安在重庆设立全资子公司重庆三安半导体有限责任公司(暂定名)参与合资工厂建设,预计投资总额为70亿元。

合资公司的注册资本为6.12亿美元,湖南三安持股比例为51%,意法半导体持股比例为49%,均以货币资金分期出资。

预计2028年全面达产

上述合资厂在取得各项手续批复后开始建设,预计2025年完成阶段性建设并逐步投产,2028年达产,规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。

合资工厂相关产品的销路,双方已有约定。据ST官网6月7日披露,该合资厂将采用意法半导体的碳化硅专利制造工艺技术,专注于为意法半导体生产碳化硅器件。三安光电也披露,该工厂制造的碳化硅外延、芯片将独家销售给ST或其指定的任何实体。

另外,为满足该合资厂的衬底需求,三安光电也将利用自有碳化硅衬底工艺,单独建造和运营一个新的8英寸碳化硅衬底制造厂。合资公司将与湖南三安签订长期碳化硅衬底供应协议,以保证合资公司未来材料的工艺需求,每年规划生产的8英寸碳化硅衬底为48万片。

垂直整合的碳化硅价值链

三安光电首席执行官林科闯表示:“合资厂的成立将有力推动碳化硅器件在中国市场的广泛采用。这是公司朝着成为碳化硅专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“对ST来说,与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂,这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合,ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外,进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。

全球碳化硅市场高速成长

碳化硅是一种第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质,其产业链环节大致分为衬底、外延片、设计、制造及模块。其中,衬底环节的价值量最高,占碳化硅器件成本超过40%。

碳化硅功率器件应用领域广泛,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用市场之一,也是产业近年来的核心增长引擎。

意法半导体是一家全球知名的IDM模拟芯片厂商。其在最新财报沟通会上表示,预计2023年碳化硅业务将带来约12亿美元收入,广泛分布于主要客户,较此前预计的10亿美元有所增长。

汽车业务被视为意法半导体在2027年实现200亿美元收入目标的关键支撑。意法半导体CEO在去年年底的访华行程中,拜访了多位国内汽车和工业战略客户,包括长安汽车、赛力斯汽车、宁德时代、固德威、威迈斯新能源、埃泰克汽车电子等。另外,与意法半导体形成合作的中国厂商包括:比亚迪、吉利、长城、现代、小鹏等OEM,以及台达、华为、汇川、广达、欣锐科技、阳光电源、威迈斯新能源等。

三安光电是国内布局碳化硅产业最为完整的企业,涉及长晶、衬底制作、外延生长、芯片制备及封装环节。其在2022年年报中表示,公司碳化硅各环节业务顺利推进,衬底已通过几家国际大客户验证,其中一家实现批量出货,且2023年、2024年供应已基本锁定;碳化硅芯片应用于光伏、储能、新能源汽车等可靠性要求高的领域。

三安光电碳化硅器件在国内上车进展加速。三安光电碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作,与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元,另一重要客户订单金额19亿元。该公司2022年年报显示,已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元,另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。产品方面,三安光电车规级1200V 16mΩ MOSFET芯片已在战略客户处进行模块验证,预计于2024年正式上车量产。

仍有较大降本空间

国内一位头部功率半导体厂商高管表示:“从单品看,碳化硅器件比硅基器件要贵1.5-2倍。但从系统角度看,因为用了碳化硅器件,散热器、电容电感会减少,体积会减小,所以光伏行业也开始用了;而在新能源汽车行业,因为碳化硅器件能效高,电池用量就会减少。电池很贵,用得少系统成本就会降下来。因为系统成本优势,所以终端客户才会导入。

还有产业人士表示:“国内碳化硅仍有较大降本空间。碳化硅衬底目前占碳化硅芯片成本的约60%,因此降低衬底成本是重点。目前碳化硅衬底生产工艺仍面临三大瓶颈:一是晶体质量,二是长晶效率,三是切磨抛的损耗。价格下降除了生产技术良率要提升,此外整个设备原材料的国产化和技术创新也会带来成本降低。“随着产业化推进和产学研合作,未来有很大降本空间。”

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审核编辑黄宇

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