0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

盛美上海首次获得 Ultra C SiC 碳化硅衬底清洗设备的采购订单

半导体芯科技SiSC 来源:半导体芯科技SiSC 作者:半导体芯科技SiS 2023-03-28 17:17 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

来源:盛美上海

支持快速增长的功率半导体市场,包括电动汽车、功率转换和可再生能源

盛美半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“盛美上海”),作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商,今宣布首次获得Ultra C SiC 碳化硅衬底清洗设备的采购订单。该平台还可配置盛美上海自主研发的空间交变相位移(SAPS)清洗技术,在不损伤器件的前提下实现更全面的清洗。该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商,预计将在2023年第三季度末发货。

碳化硅衬底用于功率半导体制造,而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热,以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加,推动了碳化硅器件市场的增长。根据Yole Dévelopment的数据,截至2026年,该市场预计将超过40亿美元1。

盛美上海董事长王晖博士表示:

“功率半导体市场增长势头强劲,电动汽车市场和相关基础设施的部署如火如荼。这份订单表明了盛美上海在先进半导体晶圆制造设备方面的经验,也可用于满足碳化硅衬底制造的独特要求。我们仍然致力于丰富我们的产品组合,以把握更多的市场机会。”

审核编辑黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率半导体
    +关注

    关注

    23

    文章

    1569

    浏览量

    45293
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3560

    浏览量

    52686
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    200mm碳化硅衬底厚度与外延厚度的多维度影响

    我们能将碳化硅 (SiC) 衬底厚度推进到多薄而不影响性能?这是我们几十年来一直在追问的问题,同时我们也在不断突破碳化硅 (SiC) 材料性
    的头像 发表于 02-11 15:03 354次阅读
    200mm<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度与外延厚度的多维度影响

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告

    基于SiC碳化硅功率器件的一级能效超大功率充电桩电源模块深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源
    的头像 发表于 12-14 07:32 1742次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的<b class='flag-5'>c</b>研究报告

    加速!12英寸碳化硅衬底中试线来了!

    电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅再迎来跨越式进展!9月26日,晶机电宣布,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶机电子公司浙江晶瑞Su
    的头像 发表于 09-29 08:59 5553次阅读

    探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准
    的头像 发表于 08-23 16:22 1641次阅读
    探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    摘要 本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提
    的头像 发表于 08-20 12:01 868次阅读
    【新启航】探针式<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧

    【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    摘要 本文聚焦碳化硅衬底 TTV 厚度测量过程,深入探究表面粗糙度对测量结果的影响机制,通过理论分析与实验验证,揭示表面粗糙度与测量误差的关联,为优化碳化硅衬底 TTV 测量方法、提升
    的头像 发表于 08-18 14:33 927次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究

    【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析

    本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。 引言 在
    的头像 发表于 08-15 11:55 1248次阅读
    【新启航】国产 VS 进口<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量仪的性价比分析

    激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的精度提升策略

    摘要 本文针对激光干涉法在碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的精度问题,深入分析影响测量精度的因素,从设备优化、环境控制、数据处理等多个维度提出精度提升策略,旨在为提高碳化硅
    的头像 发表于 08-12 13:20 1395次阅读
    激光干涉法在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的精度提升策略

    【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备的日常维护与故障排查

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量设备,详细探讨其日常维护要点与故障排查方法,旨在通过科学的维护管理和高效的故障处理,保障测量设备的稳定性与测量结果的准确性,降低
    的头像 发表于 08-11 11:23 845次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量<b class='flag-5'>设备</b>的日常维护与故障排查

    【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为
    的头像 发表于 08-08 11:38 1229次阅读
    【新启航】如何解决<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b> TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底
    的头像 发表于 07-15 15:00 1464次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    超薄碳化硅衬底切割自动对刀精度提升策略

    超薄碳化硅衬底
    的头像 发表于 07-02 09:49 762次阅读
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>切割自动对刀精度提升策略

    基于机器视觉的碳化硅衬底切割自动对刀系统设计与厚度均匀性控制

    一、引言 碳化硅SiC)作为第三代半导体材料的代表,以其卓越的物理化学性能,在新能源汽车、轨道交通、5G 通信等关键领域展现出不可替代的作用。然而,SiC 材料硬度高、脆性大的特性,给其
    的头像 发表于 06-30 09:59 970次阅读
    基于机器视觉的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>切割自动对刀系统设计与厚度均匀性控制

    切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系
    的头像 发表于 06-12 10:03 803次阅读
    切割进给量与<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>衬底</b>厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC
    的头像 发表于 06-07 06:17 1528次阅读