MOS管防反接电路详解

图1

图2 mos管防反接电路

这是英飞凌给的TLE987X的反接保护电路，12V系统。mos S极是Vbat，D极是负载。

Rrp1电阻右边是MCU升压电路得到的电压VCP，在24V左右，当电池被反接时VCP不输出电压。

上图2中所示的是一颗增强型的NMOS管

电池正常连接（即Rrp2右端接GND，NMOS的源极S接Vbat）时，三极管NPN处于截止状态，又VCP电压通过Rrp1电阻送入MOS的栅极G，使得GS之间电压超过mos管的阈值，NMOS管将会被导通，Vbat通过MOS管为后续电路供电。

电池被反接（即Rrp2右端接Vbat，NMOS的源极S接GND）时，VCP输出为0，三极管NPN基极为高电平使得三极管导通，G点电位下降，关断MOS管起到了保护作用。

上图所示中二极管的作用，是当电池正常连接时，防止三极管（Trpg）被击穿；当电池反接时，内部的VCP电压将会通过三极管续流到地。