罗姆第4代SiC MOSFET，三大优势凸显！

随着应用场景多元化发展，对设备提出了更高的要求，以碳化硅（SiC）、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。因其高热导性、高击穿电场强度及高电流密度特点，可应用于汽车、充电设备、便携式电源、通信设备、机械臂、飞行器等多个工业领域。

关于碳化硅开发，全球知名半导体制造商罗姆一直在努力研发技术，产品不断推陈出新。在2023年媒体交流会上，罗姆半导体（上海）有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜和罗姆半导体（上海）有限公司技术中心副总经理周劲分别介绍了罗姆公司最新动态以及碳化硅功率器件的相关技术。

 

罗姆半导体（上海）有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜表示，罗姆拥有世界先进的碳化硅及氮化镓技术，打造了高效处理电力的功率半导体器件，面向汽车、工业设备等应用场景当中。

罗姆半导体（上海）有限公司技术中心副总经理周劲，罗姆有着20多年的历史，时间节点从2000年开始研发碳化硅产品，在2010年在全球首家进行碳化硅SBD和MOSFET的量产，之后在2021年发布了第4代的沟槽SiC MOSFET，2023年实现8英寸碳化硅衬底的量产，陆续会推出牵引功率模块的产品。

据介绍，罗姆第4代SiC MOSFET利用罗姆自有设计技术，进一步改进了双沟槽结构，从而改善了上述权衡关系，与传统产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功将导通电阻降低约40%，实现了行业更低的导通电阻驱动电压。核心有三大优势，即低损耗、使用简单和高可靠性。

• 低损耗：第4代新产品对比罗姆的第3代产品，通过降低40%导通阻抗，同样尺寸芯片，第3代大约是30毫欧，第4代能够实现18毫欧的导通阻抗降低，导通损耗会同样降低40%；

 

• 使用简便：第3代产品15V驱动和18V驱动，导通阻抗差是30%，也就是说用15V IGBT通用电压驱动不能实现SiC MOSFET的理想状态，第4代产品可以在15V情况下满足一般状态的碳化硅全负载驱动；
• 高可靠性：采用独特的器件结构突破了RonA与短路耐受时间（SCWT）的折中限制，实现了比同类产品更高的短路耐受时间。降低RonA后，通常饱和电流会上升，短路时的峰值电流也会上升，短路耐量时间变短，罗姆第4代产品在降低RonA的同时使饱和电流下降，短路时的峰值电流较低，成功延长了短路耐受时间。

 

当前，罗姆第4代SiC MOSFET的应用包括电动汽车主机逆变器、车载充电器、充电桩、光伏逆变器、数据中心、基站等高电压和大容量场景，有助于提高电力转换效率，使设备更加节能。

小结：罗姆一直在不断提升碳化硅元器件的性能，并以晶圆、芯片、分立产品和模块等丰富的供应形式投放市场，扩大产能持续推动赋能汽车等行业的低碳技术，实现社会的可持续发展。与此同时，罗姆会提供基础的应用知识、Spice模型、应用笔记、在线仿真及PCB设计支持等，以助力产品开发，繁荣生态！