三星推车规级GDDR7，车载存储进入升级阶段

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近三星宣布将为车载应用提供专业的存储器解决方案，并推出了车规级GDDR7 DRAM。GDDR7此前是专为超高带宽的计算应用提供，比如高性能GPU等，最高支持128GB/s传输速率。

与此同时通过多通道，比如为单个GPU连接四到八个GDDR7显示内存，可以实现高达512GB/s至1TB/s的数据传输速率，以满足智能汽车的高速数据传输需求。

伴随着智能汽车中自动驾驶以及智能座舱对算力的需求激增，以往普遍性能落后同期消费电子产品的汽车电子领域，已经成为了高算力芯片的重要市场，甚至是芯片算力提升的重要驱动力。

短短几年间，智能座舱以及自动驾驶芯片的算力翻了数倍，2017年英伟达推出的Xavier自动驾驶芯片，算力为30TOPS；到了2019年，特斯拉推出HW3.0芯片，144TOPS的算力已经遥遥领先于同行；而到了2021年，蔚来发布的新车ET7中，搭载的四颗英伟达Orin X自动驾驶芯片算力已经高达1016TOPS；去年英伟达推出了单芯片算力高达2000TOPS的Thor芯片，并提供双芯方案，共计可提供超过4000TOPS的总算力，预计将会在2025年在量产车型上被搭载。

汽车芯片算力暴涨，外围部件当然也需要同步升级，正如PC内部的CPU、显卡、DRAM、固态硬盘、电源等，如果出现一块短板，都可能会影响到整套系统的性能发挥。更大的芯片算力意味着需要更加高速的存储器，来为其计算的海量数据做基础支撑。

据Yole的预测数据，2021—2027年全球汽车存储器的年均复合增长率（CAGR）高达20%，与之相对应的，是同期汽车半导体整体市场的CAGR仅为10%。也就是说，未来汽车存储器市场需求将会持续高速增长，而这也将会是存储厂商重点抢占的市场。

在汽车存储器市场中，汽车座舱是存储器的主要应用领域，随着智能座舱的持续演进，更多的屏幕、触控、传感器、高性能SoC等，都需要更多外围的存储器技术，包括NOR Flash、 NAND Flash、DRAM等。

而对于自动驾驶而言，存储器需求主要会在高带宽DRAM、高密度NOR Flash等，同时得益于自动驾驶芯片算力不断提高，以及传感器数量的增多，自动驾驶也将会是存储需求增长最快的领域。

在特斯拉的HW3.0自动驾驶模块中，采用了8颗LPDDR4 DRAM，总容量16GB，最高传输速率约为4GB/s，也就是带宽32Gbps。而近期有外媒曝光的HW4.0模块中，则采用了16颗GDDR6，总计32GB，同时存储方面也从HW3.0上使用的32GB 闪存升级到128GB，尽管仍是UFS2.1标准，接口速率不变。

英伟达方面，自动驾驶芯片Xavier内部集成了八通道、256bit的LPDDR4X内存控制器，每个通道最多支持32bit带宽的LPDDR4X-4266内存，最高支持127.1GB/s速率。而在Orin上，内存控制器最高可以支持204GB/s速率和最高64GB的DRAM，与此同时算力是Xavier的7倍。

最新的英伟达Thor芯片尽管没有公布支持的内存带宽，但其单芯片算力是Orin的8倍，对应支持的内存带宽必然会有进一步提升。因此在GDDR6预计即将在特斯拉HW4.0上首发之后，GDDR7会跟随下一代自动驾驶芯片而进入汽车市场。当然，闪存方面，尽管特斯拉最新硬件依然是UFS2.1，但UFS3.1已经在理想L9等车型上应用，规格更高的闪存同样会逐步进入到智能汽车上。