0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

签下六年保供协议,派恩杰确定SiC营收新目标

派恩杰半导体 来源:派恩杰半导体 2023-02-08 14:03 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

2022年碳化硅(SiC)行业全产业链经历了全面的爆发,一边是电动汽车快速发展带来了旺盛的SiC功率器件需求——SiC可为电动汽车提供更快的充电速度和更长的行驶里程;一边则是因为SiC衬底晶圆缺货导致的SiC芯片供应不足的现状,而且SiC衬底和元器件的短缺至少还要持续到2025年。在这样的环境下,2023年将更加考验各SiC企业的是否能快速导入客户且有稳定可靠的产能。拿下了全球最大的SiC代工厂X-Fab 长达6年保供协议的派恩杰正在迈向新的功率半导体“芯”征程。

得SiC产能者得天下

以前我们讲“得SiC者得天下”,现在更核心的是“得SiC产能者得天下”。SiC的需求之大和发展速度之快,超出了行业预期。据Yole的预测,仅由电动汽车所带来的SiC晶圆需求预计2027年将达到110万片。为了避免再次陷入汽车缺芯的窘境,确保可靠供应,目前大多数整车厂采取与SiC芯片供应商深度绑定的策略,例如奔驰/路虎/通用等与Wolfspeed签订战略协议,雷诺与意法半导体,大众/奔驰/现代与安森美,Stellantis与英飞凌等等,车厂争抱SiC巨头大腿。深度绑定正成为SiC行业一道亮丽的风景线。

SiC元器件厂商与上游衬底的绑定由来已久,Wolfspeed作为全球最大的SiC衬底供应商,市场占有率高达60%,是各大芯片供应商绑定的重要对象,即便如此,他们在2022年也面临着供不应求的难题。因此,包括Wolfspeed、ST、安森美、罗姆等在内的主要SiC厂商都在积极投资新工厂以提高SiC衬底晶圆和器件的产能。

经过在SiC赛道长达十年甚至更久的技术及硬件积累,上述这些SiC芯片供应商们由于特定的历史条件,大多是IDM模式,而且如今包括ST、安森美、罗姆等多家厂商还通过投资或购买SiC衬底产业链逐渐实现更上游的自我供给。IDM模式固然是SiC芯片领域发展的定式,但是相对全球“一芯难求” 的大环境下,对于怀抱着“国产替代”理想的SiC芯片供应商而言,Fabless这种“轻装上阵”的模式则更有助于企业抢跑。就目前的情况下,整个SiC产业链还没有完全成熟,要想加速占领赛道,成熟的代工厂支持将是非常必要的。

全球的SiC代工厂并不多,主要有在美国德州的碳化硅厂X-FAB、新晋碳化硅代工厂英国的Clas-SiC、韩国的Yes Power Technix、中国台湾的汉磊(Episil Technology)、嘉晶电子(Episil-Precision)、美国的SiCamore Semi,以及一些正在建设或者有SiC代工规划的,包括上海积塔半导体、广州芯粤能、长飞半导体、南京宽能半导体等等。

在全球SiC代工领域, X-Fab是全球第一家也是最大的一家SiC专业代工厂。据eeNews Europe的报道,X-Fab的CEO Rudi De Winter在2023年的计划中谈到,尽管全球经济低迷和芯片短缺,但是X-Fab的现有产能在未来三年内都已售罄。他指出,过去公司的业务往往是基于不具约束力的预测,而现在少量优质客户正在签署多方长期协议,客户更加重视半导体供应链所起的战略意义。由于SiC需求的不断增加,X-Fab已于2021年开始投资10亿美元用于为期三年的产能扩大。

众所周知,一家流片厂扩建的时间很长,差不多需要三年时间,所以能拿到X-Fab的产能已是不易。而且据X-Fab的消息,与客户所签署的长期协议通常为3年,但是近日,国内的SiC芯片供应商派恩杰半导体却直接拿下了6年的长期保供协议,这在全球都是屈指可数的,也让我们不由好奇,派恩杰究竟凭啥?

对派恩杰有关注或者阅读过我们这篇文章:《国产SiC MOSFET起量,派恩杰上半年逆势供货超1.2kk!》的读者可能对派恩杰与X-Fab的渊源有所了解。关于派恩杰技术传承可以参考《“揭秘!派恩杰供应链大起底,与北卡学派跨越半个世纪的技术传承因缘”》,在此不做过多的赘述。如果说派恩杰创始人黄兴博士与X-Fab的一系列渊源使得派恩杰半导体成为X-Fab在亚洲地区的第一家客户,那么能够拿下长达6年的长期保供协议,则一定是对派恩杰公司过硬的技术实力的认可。

相信行业内的人都能了解这个6年长约的含金量。相比消费类电子和工业领域来说,车规芯片的验证周期更长,通常在3年以上。此前黄兴博士曾分析到:“由于SiC功率器件可靠性验证的周期长,一个流片工厂从建线、调线、量产爬坡的周期(在各环节都顺利交付的情况下)到量产且导入客户,至少需要5年时间。”在这个加速上车的时代,慢一步就会错过黄金窗口。这几年爆发的SiC芯片缺货情况得以让国产碳化硅芯片与客户建立起良好的关系,车规级产品一旦被列入BOM清单,就十分难被替换。

如今,派恩杰稳定占有X-Fab亚洲地区最多的产能份额。通过与X-Fab的深度合作,派恩杰可以利用国际产能优势加快验证周期,率先占领市场,形成行业壁垒。

国产SiC厂商用营收来说话

目前国际SiC大厂的财务报表中已经呈现出强劲的增长趋势,他们正在享受SiC爆发式增长带来的第一波红利。财报是衡量企业经营状况最直观的体现,在SiC这个角逐场中,派恩杰也在通过营收亮出自己的实力。

国内方面,2022年,派恩杰以独特的Fabless优势在极度缺芯的市场环境中,一马当先抢占市场,其中仅车规级功率MOSFET芯片就斩获过半亿销售额。碳化硅MOSFET实际出货超3.6kk,且无一例失效,完全彰显了派恩杰优异的芯片设计能力。可靠稳定的芯片质量使得派恩杰成功占领了国内外大功率碳化硅MOSFET芯片的国产空缺。

事实证明,派恩杰当下所采用的Fabless的模式是正确的,这是黄博士看过了产业的起起落落,充分了解SiC国产替代供应链所面临的大量经验循环及上下游协作的现状之后,审时度势所采取的战略发展路线。短期来看,Fabless模式在填补国内SiC芯片空白和技术迭代上显示出较为突出的优势。

派恩杰这几年在产品阵列和客户导入方面的发展速度很快,公司已在650V,1200V,1700V三个电压平台发布100余款不同型号的SiC二极管、MOSFET、功率模块等,是国内第一家拥有产品目录最多的SiC芯片供应商,并且产品性能丝毫不逊色于国际。派恩杰的平面型MOSFET技术更是全球领先,已推出全球Qgd x Rds(on)最小的SiC MOSFET产品。

虽然市场上有不少SiC芯片厂商和机构都在研究沟槽型的SiC MOSFET,理论上来看,沟槽栅能大大提升器件参数、可靠性及寿命。但在派恩杰看来,由于碳化硅有优异的性能导致激光刻蚀可以接近无限精准,因而不需要如硅基芯片一样挖沟槽来缩Pitch。未来几年,平面型MOSFET技术依然是车用碳化硅MOSFET的主流。派恩杰的SiC MOSFET已经成功导入整车厂和Tier 1厂商,实现上车。

截至目前,派恩杰的碳化硅功率MOSFET器件已导入60余家客户,量产交付产品80余款。值得一提的是,派恩杰还得到了海外大厂的认证,包括全球光纤激光器龙头IPG Photonics。2022年9月,派恩杰收获国际大厂碳化硅MOSFET大单,在美国充电桩基建项目Power America中被重点采用。虽说国内SiC市场方兴未艾,但可以看出,派恩杰的目标市场不仅仅是国内,更要走出国门与国际SiC MOSFET厂商一争高低。

基于2022年良好的开端以及多年沉淀的技术优势,2023年派恩杰的主打产品碳化硅车规级功率MOS器件将再接再厉,目标实现数亿元人民币营收。

在SiC领域专业的技术及漂亮的业绩,也使得派恩杰赢得了半导体专业基金的不断加持。2023年1月19日新年伊始,派恩杰就完成了数亿元A轮融资,这是他们在近一年来的第二次融资。本轮融资由华润资本,湖杉资本(老股东加持)和欣柯资本共同完成,所融资金将主要用于加速产品研发、扩张产能、加强供应链保障和优化产业链布局。

结语

综上来看,过硬的技术实力让派恩杰在SiC这列快速奔跑的列车上已占据一席之地。加上X-Fab的六年保供长约,让派恩杰可以突破产能的掣肘,全面推进SiC功率器件工艺和产品的国产化迭代开发,占据更多的SiC市场份额,实现更高的营收。未来不仅是汽车领域,光伏及储能等都将是派恩杰发力的重要战场。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2221

    浏览量

    95472
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3857

    浏览量

    70107
  • 派恩杰
    +关注

    关注

    0

    文章

    40

    浏览量

    3620
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    华为连续六年入选Gartner Peer InsightsTM SD-WAN“客户之选”

    近日,Gartner发布了2026Gartner Peer Insights《SD-WAN客户之声》报告,华为连续六年获得Gartner Peer Insights SD-WAN“客户之选”,成为该评选颁布以来连续入选次数最多的非北美厂商。
    的头像 发表于 04-14 13:55 181次阅读

    一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026最新动态【上】

    欧洲头部车企 Tier1 10 万套订单,2026 SiC 模块目标 8 亿元。 2025
    发表于 03-24 13:48

    万亿科创沃土赋能,联智能剑指2026百亿与1500万台AI终端双目标

    在前海会议中心盛大举办。现场正式官宣2026百亿与1500万台AI终端出货量双核心目标。依托18持续进化的技术积累、南山的科创生态赋
    的头像 发表于 02-02 12:31 268次阅读
    万亿科创沃土赋能,<b class='flag-5'>六</b>联智能剑指2026百亿<b class='flag-5'>营</b><b class='flag-5'>收</b>与1500万台AI终端双<b class='flag-5'>目标</b>

    荣获德业股份2025度战略合作奖

    ,共同回顾合作成果,展望未来发展。作为长期合作伙伴,受邀出席大会,并荣获德业股份2025度“战略合作奖”,成为获此殊荣的11家供应商之一。
    的头像 发表于 12-12 17:06 972次阅读
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b>荣获德业股份2025<b class='flag-5'>年</b>度战略合作奖

    SiC DCM半桥模块产品优势介绍

    DCM模块的底层优势在于芯片设计与封装工艺的深度协同,作为国内少数拥有全套“银烧结+DTS双面散热”技术的公司,其自主设计的超低寄生电感架构,将杂散电感降低至行业领先的标准,确保了模块100kHz高频下的极致效率。
    的头像 发表于 12-08 09:12 1084次阅读
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b><b class='flag-5'>SiC</b> DCM半桥模块产品优势介绍

    破局SiC高频寄生电感难题,推出嵌入式封装方案

    电子发烧友网综合报道 嵌入式封装,在当前功率模块正在往更高功率密度,更高效率的趋势下,成为了行业内一个重要的技术趋势。近期国内功率半导体厂商也基于嵌入式封装技术推出了功率模块解决方案。   纬
    的头像 发表于 11-15 00:16 8547次阅读
    破局<b class='flag-5'>SiC</b>高频寄生电感难题,<b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b>推出嵌入式封装方案

    智浦三季度31.7亿美元

    根据智浦发布的三季度运营业绩报告数据显示, 智浦三季度31.7亿美元, 略高于分析师预期的31.6亿美元;智浦三季度调整后自由现金
    的头像 发表于 10-28 14:40 595次阅读

    碳化硅产品斩获欧洲头部车企订单

    近日,半导体顺利斩获欧洲头部车企的量产订单。这一重大跨越标志着在碳化硅(
    的头像 发表于 09-10 17:32 1485次阅读

    第三代1200V SiC MOSFET产品优势

    1200V SiC MOSFET是推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性,专为高压、高频、高温应用设计。相比传统硅基MOSFET,
    的头像 发表于 09-03 11:29 1397次阅读

    第三代半导体功率器件企业获“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖!

    ,最终评选出四大领域荣誉。凭借深厚的技术积累、巨大的市场潜力以及卓越的创新实力,半导体在本次评选中荣幸获得“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖。 于2024落户宁波·
    的头像 发表于 08-19 18:36 1733次阅读

    第四代碳化硅产品在AI基建的应用

    在 AI 基建中,碳化硅(SiC)凭借高频高效、耐高温、高功率密度等特性,成为解决 “算力飙升与能耗、空间、散热瓶颈” 矛盾的核心材料。从数据中心的电源系统到边缘 AI 设备的稳定运行,
    的头像 发表于 08-18 15:56 1688次阅读

    发布第四代SiC MOSFET系列产品

    近日,半导体正式发布基于第四代平面栅工艺的SiC MOSFET系列产品。该系列在750V电压平台下,5mm × 5mm芯片尺寸产品的导通电阻RDS(on)最低可达7mΩ,达到国际
    的头像 发表于 08-05 15:19 1858次阅读
    <b class='flag-5'>派</b><b class='flag-5'>恩</b><b class='flag-5'>杰</b>发布第四代<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET系列产品

    3300V MOSFET晶圆的应用场景

    3300V MOSFET晶圆,专为高耐压场景设计的第三代半导体功率器件核心材料,基于4H-SiC晶圆,击穿电压达3300V以上,相比于传统硅基器件(如IGBT),它在高压、高温、
    的头像 发表于 08-01 10:20 1681次阅读

    瑞萨电子推迟目标至2035 面对竞争与技术挑战

    瑞萨电子(RenesasElectronics)近期在一场媒体发布会上宣布,将其原定于2030实现的目标推迟至2035。这一决定反映
    的头像 发表于 06-30 11:02 1060次阅读
    瑞萨电子推迟<b class='flag-5'>营</b><b class='flag-5'>收</b><b class='flag-5'>目标</b>至2035<b class='flag-5'>年</b> 面对竞争与技术挑战

    半导体SNEC 2025圆满

    近日,全球最具影响力的国际化、专业化、规模化光伏盛会“SNEC第十八届国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会”圆满闭幕。半导体在【6.1H馆 A155展位】重磅开展了新品发布、技术沙龙以及光伏客户方案的系统分享会,持续掀动展
    的头像 发表于 06-17 14:14 1154次阅读