氮化镓(GaN)是一种直接带隙半导体,宽带隙为3.4 eV(电子伏特),比砷化镓(GaAs)宽2.4倍,比硅宽3倍。具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点,成为高温、高频、大功率微波器件的优选材料之一,其目前主要用于功率器件领域,在高频通信领域也将有极大应用潜力。
在技术发展前景方面,氮化镓半导体仍将是全球主要国家的科技攻关重点方向,预计未来全球氮化镓行业将迎来一段技术快速发展期。在市场前景方面,氮化镓是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在光电子、激光器、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。预计到2026年全球氮化镓元件市场规模将增长到423亿美元,年均复合增长率约为13.5%。
氮化镓用途有哪些方面
1、射频器件方面
射频氮化镓器件主要应用于5G基站、卫星、雷达等领域。
2、功率器件方面
功率氮化镓器件主要应用于快充、逆变器、汽车电子电源开关、高端服务器领域。
文章整合自:新世界、microsemi、财经密探者
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