氮化镓芯片市场份额分析 氮化镓（GaN）半导体器件分类

氮化镓芯片市场份额分析

恒州诚思调研统计，2021年全球氮化镓芯片市场规模约 亿元，2017-2021年年复合增长率CAGR约为%，预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2028年市场规模将接近 亿元，未来六年CAGR为 %。

据悉，中国氮化镓芯片市场占据全球约 %的市场份额，为全球最主要的消费市场之一，且增速高于全球。2021年市场规模约 亿元，2017-2021年年复合增长率约为 %。随着国内企业产品开发速度加快，随着新技术和产业政策的双轮驱动，未来中国氮化镓芯片市场将迎来发展机遇，预计到2028年中国氮化镓芯片市场将增长至 亿元，2022-2028年年复合增长率约为 %。2021年美国市场规模为 亿元，同期欧洲为 亿元，预计未来六年，这两地区CAGR分别为 %和 %。

从产品类型方面来看，按收入计， 2021年100V市场份额为 %，预计2028年份额将达到 %。同时就应用来看，电信在2028年份额大约是 %，未来几年CAGR大约为 %。

按收入计，2022年全球氮化镓（GaN）半导体器件收入大约1040.4百万美元，预计2029年达到4245.5百万美元，2023至2029期间，年复合增长率CAGR为 22.3%。同时2022年全球氮化镓（GaN）半导体器件销量大约 ，预计2029年将达到 。2022年中国市场规模大约为 百万美元，在全球市场占比约为 %，同期北美和欧洲市场分别占比为 %和 %。未来几年，中国CAGR为 %，同期美国和欧洲CAGR分别为 %和 %，亚太地区将扮演更重要角色，除中美欧之外，日本、韩国、印度和东南亚地区，依然是不可忽视的重要市场。

全球市场主要氮化镓芯片参与者包括Texas Instruments、Infineon、Qorvo、Cree Incorporated和Mitsubishi Electric等，按收入计，2021年全球前3大生产商占有大约 %的市场份额。

氮化镓（GaN）半导体器件分类

根据不同产品类型，氮化镓（GaN）半导体器件细分为：

GaN功率器件（肖特基二极管、场效应晶体管（FET））

GaN功率器件两大技术路线对比

由于GaN场效应晶体管（FET）支持更快的开关速度和更高的工作频率，有助于改善信号控制，为无源滤波器设计提供更高的截止频率，降低纹波电流，从而帮助缩小电感、电容和变压器的体积。从而构建体积更小的紧凑型系统解决方案，最终实现成本的节约。

当前的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1 MHz开关频率的操作，共源共栅GaN FET最为适合。

氮化镓功率器件分为增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）两种，增强型是常关的器件，耗尽型是常开的器件。

GaN射频器件（功率放大器PA、低噪声放大器LNA、射频开关SW ITCH、单片集成电路MMIC）

GaN功率器件目前大多采用GaN-on-Si的技术，相比于昂贵的SiC衬底，采用Si衬底的GaN功率器件优势主要在中低压领域，市面上产品工作电压主流产品在1000V以下，但近年也出现1200V甚至更高电压的GaN-on-Si功率器件。

GaN射频器件主要可以分为三种：大功率功放管（比如GaN射频 HEMT）、PA模块、5G毫米波等高频段MMIC（单片微波集成电路）。目前GaN已经在射频功率应用中成为LDMOS和GaAS的有力竞争对手。 为了提升性能，降低器件尺寸，GaN射频器件集成度在不断提高。随着5G等高频应用以及小尺寸需求提高，GaN工艺制程正在从0.25µm-0.5µm，向0.15µm推进，射频领域领先的Qorvo甚至早已开始推进60nm工艺，用于毫米波等更高频应用。 GaN射频器件目前主流采用GaN-on-SiC技术，占比约90%，其余采用GaN-on-Si技术。

氮化镓国产化发展趋势

1、IDM模式为主

目前氮化镓产业链行业龙头企业以IDM模式为主，但是设计与制造环节已经开始出现分工。从氮化镓产业链公司来看，国外公司在技术实力以及产能上保持较大的领先。中国企业仍处于起步阶段，虽已初步形成全产业链布局，但市场份额和技术水平仍相对落后。

2、国产化进程

国产企业英诺赛科已建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si 晶圆量产线，目前产能达到每月1万片/月，并将逐渐扩大至7万片/月。大连芯冠科技在氮化镓功率领域，已实现6英寸650V硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品；在氮化镓射频领域，已着手进行硅基氮化镓外延材料的开发、射频芯片的研发与产业化准备工作。

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