发力新基建，维安推出国内“最酷”MOSFET

受益于国家对新基建项目的重视，新能源电动汽车充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样，5G领域也很讲求功率的高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。

目前，功率MOSFET中TO-247封装是充电机、充电桩和基站高功率电源模块应用中最通用的封装形式。针对超低内阻的高压MOS产品需求，在常规TO-247封装不能满足的情况下，电源工程师往往会使用诸如TO-247MAX,、TO-3P(L) 、TO-264、PLUS TO-247等超大体积封装来代替。这种超大封装不仅不通用，且成本较高。顺应趋势，维安经过多年的SJ-MOS技术研发创新，开发出行业内超低导通电阻产品——WMJ120N60CM，采用常规 TO-247封装的600V高压SJ-MOS，导通电阻Rdson低至16.5mΩ，能够有效提升电源功率密度，解决应用痛点。

图1 常规TO-247 封装示意图

图2 常规TO-247导通电阻Rdson 对比

图3常规TO-247 品质因数FOM对比

在品质因数FOM（Rdson*Qg）方面，WMJ120N60CM达到业界领先水平。

在3.3KW PFC模块电路测试中，WMJ120N60CM和行业某知名厂商的65R019C7效率几乎无差异，甚至比60R019C7高出0.15~0.34%; 对应的输入功耗小了1~4W。

图4 3.3KW PFC模块电路测试中WMJ120N60CM和65R019C7效率对比

230Vac 输出400V/8.31A条件下开关波形：

图5 WMJ120N60CM 开通波形

图6 65R019C7 开通波形

VGS 开通延迟时间两者无差异：WMJ120N60CM 155ns, 65R019C7 148ns.

图7 WMJ120N60CM 关断波形

图8 65R019C7 关断波形

从VGS 关断波形来看， WMJ120N60CM 比65R019C7 略快。WMJ120N60CM具有业内领先的导通电阻Rdson，且是TO-247通用封装，在有效提升电源功率密度的同时又节省了空间。目前此款产品主要面向高功率电源模块，比如新能源汽车地面充电桩模块电源，通信电源和高功率充电机等行业，在减少成本费用的情况下实现高效，加速新基建全面落地。