高性能、高可靠，佰维推出高品质DDR5内存模组

随着PC、服务器等应用终端不断升级迭代，其在数据存储上对低延迟、低功耗、高速度、大带宽等提出了越来越高的要求，导入拥有更高性能、更稳定可靠的DDR5内存模组或将成为更好的存储解决方案。近期，佰维新推出高品质DDR5 UDIMM、SODIMM内存模组，以更好应对市场挑战。

佰维DDR5内存产品特点

数据传输速率大幅提升，轻松实现多任务处理

佰维DDR5 UDIMM和SODIMM内存模组数据传输速率达4800Mbps，突发长度和预取长度扩展到16位，使得存储器单一读写指令可存取的数据量是DDR4的两倍；此外，DDR5每个模块均拥有两个独立的32位I/O子通道，双通道设计在保证大带宽的同时，可提高存储器存取效率，大幅缩短存取延迟，提高信号完整性，保障PC等终端轻松实现多任务处理。

更低电压与崭新电源架构，有效降低功耗

佰维DDR5模组工作电压从DDR4的1.2V降低至1.1V，将电源管理系统从主板拆分，集成IC至模组本身（PMIC），可更高效控制系统电源负载，调节电源纹波、电压和上下电时序，提升信号完整性与兼容性，并有效降低功耗。

芯片单元容量翻倍，提供更多容量选择

佰维DDR5采用八个Bank Group组成的32 Banks，相较于DDR4的16 Banks增加一倍，提升了单片芯片存储密度，单条容量相应提升，为内存模组容量提供8GB~32GB的多种选择。

On-Die ECC纠错+智能温感控制，高稳定、高可靠

佰维DDR5模组采用高品质晶圆颗粒，支持片内纠错（On-Die ECC）机制，每128位元数据就附带8位元纠错码；产品使用一组差分信号（DQS_t和DQS_c）来捕获数据，一组差分时钟（CK_t和CK_c）来捕获命令、地址和控制信号，差分时钟和数据选通确保了这些信号的特殊抗噪性，并提供精确的触发沿来捕获输入信号，大大提高了模组的数据传输可靠性；此外，佰维DDR5模组支持智能温感控制，可有效避免存储器因过度发热、温度过高造成数据丢失。

未来展望

当下，除传统应用终端（如手机、PC、服务器等）迅速更新迭代外，5G、AI等新兴技术亦不断发展，随之而生的各种应用终端迅速占领市场，对高效能运算提出要求。DDR5在性能上的巨大飞跃使其能广泛应用于上述领域（PC、服务器、AIoT、5G应用），并为AR/VR设备、边缘计算、工控等各种高性能、高可靠需求领域终端赋能。

佰维积极布局DDR5内存模组，构建全栈产品线，公司的全栈测试能力也为DDR5产品提供量产品质保证。未来，佰维将继续充分发挥研发封测一体化优势，在已量产的DDR5 UDIMM、SODIMM产品基础上，开发生产DDR5 RDIMM产品，全力推动DDR5时代的到来。