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徳普低中压MOS,高耐压,地内阻,打线好,无卡点,客户真实测试耐压值远高于标准。

嵌入式集成电路IC 来源: 比亚迪功率半导体 作者: 比亚迪功率半导体 2022-12-05 12:31 次阅读

Rdson一致性好,可以有效控制损耗,降低温升 • EAS稳定,满足锂电池短路和大电流冲击 • Vth一致性好,支持BMS应用中多颗并联使用 • 广泛应用于1s/2s/……10s/13s/16s……各类锂电池系统

推出市场15年品牌认可度高 • 市场占有率高达 2 5 %行业标 杆产品 • 市场同规格产品中品质最为 稳定

优化结电容设计,可以提高

效率,降低温升

• 稳定的EAS能力,满足堵转

和相短路的极限应用

采用SGT工艺

• 产品内阻一致性优

• 产品耐压表现优于

同行竞品

• 符合JEDEC标准

已在德普同步整流合封IC

充分验证

• 优化结电容设计方案,提

高工作效率

• Vth一致性好,满足同步

整流不同的应用条件

• Rdson内阻更低,高耐压

设计满足设计余量

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审核编辑黄昊宇

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