0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

微TCA:高性能,小封装

星星科技指导员 来源:嵌入式计算设计 作者:JOE PAVLAT 2022-10-27 11:29 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

微型TCA最初被认为是先进TCA的较小,低成本的表亲,电信是其主要市场。自该规范获得批准以来,非电信应用的高度兴趣已经浮出水面。其中最主要的是军事应用。

微TCA是由PICMG开发的一种新的开放计算标准,可提供高性能和模块化。然而,它的物理尺寸足够小,可用于各种移动军事应用,包括车载和机载平台。微 TCA 使用新的高级MC 夹层卡,该夹层卡最初是为高级 TCA 应用程序设计的,但以不同的方式使用它们。高级MC卡在小型封装中提供高性能。它们基于结构,可以使用 PCI 高速、以太网或快速 IO 进行高速数据传输。它们还具有完全托管和热插拔功能,非常适合高可用性应用程序,在这些应用程序中,系统资源可以冗余,以便卡可以发生故障并且系统保持运行。在微型 TCA 中,高级 MC直接插入系统背板,而在高级 TCA 应用中,它们通常插入到载卡上。

微 TCA 提供高性能多处理器架构,可同时支持 CISC 和 RISC 处理器、数字信号处理器、FPGA 和网络处理器。每个插槽的数据吞吐量超过 10 Gbps,因此 MicroTCA 非常适合需要大量数据操作和传输的应用,包括语音、图像和雷达处理。MicroTCA 背板支持星形、双星形和全网状拓扑结构。

微型 TCA 架构具有很强的可扩展性。具有单一资源的 Simplex 系统可以相当便宜地构建,并且适用于低成本至关重要且可以容忍偶尔故障的应用程序。具有冗余卡和高可用性软件的双工系统更加复杂和昂贵,但可以提供5 Nines可用性,99.999%的正常运行时间。

军事电子系统设计人员正在迅速接受可用性的概念,这是从电信世界借来的,其中系统通常被期望连续运行30年或更长时间。简单平均故障间隔时间 (MTBF) 计算通常只不过是对系统可能发生故障频率的估计,越来越被视为不足以完成手头的工作。可用性的基本概念是系统提供冗余的硬件和软件管理,因此任何单个元素都不能成为整个系统的单一故障点。在高可用性系统中,单个元件、有效负载卡和电源可能会发生故障,并在方便的时间进行更换,而不会使系统停机。由于 MicroTCA 是一种交换结构架构,而不是 VME 或 CompactPCI 等并行数据总线,因此系统可以设计为单个卡故障,而不会使整个系统停机。微TCA的硬件管理结构很大程度上借鉴了精心设计的高级TCA管理架构。可以使用由服务可用性论坛定义的行业标准高可用性中间件。

微型TCA最初被认为是先进TCA的一个更小,成本更低的表亲,电信被视为其主要市场。自该规范获得批准以来,非电信应用的高度兴趣已经浮出水面。其中最主要的是军事应用。

虽然 MicroTCA 已针对冲击、振动、温度、地震等电信标准进行了加固,但它尚未准备好应对移动军事环境的极端要求。但是,许多 PICMG 成员公司正在努力开发一些概念,包括将 MicroTCA 机箱封装在具有减震安装和传导冷却功能的 ATR 盒内。

至少有一家PICMG成员公司正在研究金属翻盖,包裹AdvancedMC卡,然后刚性地安装在特殊的机箱中并直接传导冷却。预计这项工作将在2006年底进入PICMG,并成为正式的规范开发活动。在定义需求和设计解决方案方面还有很多工作要做,但PICMG拥有300名成员的广泛专业知识将照常进行。

审核编辑:郭婷

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 处理器
    +关注

    关注

    68

    文章

    20379

    浏览量

    255619
  • FPGA
    +关注

    关注

    1664

    文章

    22571

    浏览量

    640790
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    探索 onsemi FDC6420C MOSFET:高性能小封装的完美结合

    探索 onsemi FDC6420C MOSFET:高性能小封装的完美结合 在电子设计领域,MOSFET 作为关键元件,其性能和特性直接影响着电路的表现。今天,我们将深入研究 onsemi 推出
    的头像 发表于 04-21 14:30 126次阅读

    安森美NDS355AN场效应晶体管:小封装性能

    安森美NDS355AN场效应晶体管:小封装性能 在电子设计的世界里,高性能、小尺寸的电子元件一直是工程师们追求的目标。今天我们就来深入了解一下安森美(onsemi)推出的N-沟道、逻辑电平、增强型
    的头像 发表于 04-20 11:10 242次阅读

    安森美NTLJD3119C MOSFET:小封装,大能量

    安森美NTLJD3119C MOSFET:小封装,大能量 在电子设计的世界里,MOSFET作为核心元件,一直是工程师们关注的焦点。今天要为大家介绍的是安森美(onsemi)的一款高性能MOSFET
    的头像 发表于 04-14 09:45 530次阅读

    MAX15101:小封装高性能的1A低压差线性稳压器

    MAX15101:小封装高性能的1A低压差线性稳压器 一、引言 在当今的电子设备中,电源管理是至关重要的一环。特别是在网络、数据通信和服务器等应用场景下,对于稳压器的性能、尺寸和稳定性有着极高的要求
    的头像 发表于 03-22 14:15 660次阅读

    探索LTC2601/LTC2611/LTC2621 DAC:高性能小封装的完美结合

    探索LTC2601/LTC2611/LTC2621 DAC:高性能小封装的完美结合 在电子设计领域,数模转换器(DAC)的性能和尺寸往往是工程师们关注的重点。今天,我们就来深入了解一下Linear
    的头像 发表于 03-16 17:25 518次阅读

    SiLM8265HB双通道隔离驱动器 10A大电流驱动,小封装引领高压应用

    随着无人机、数据中心、通信基站及高性能功放电源等领域的快速发展,高压驱动技术正面临高效能、小型化与高可靠性的多重挑战。SiLM8265HB双通道隔离驱动器,采用5mm×5mm LGA5x5小封装,以
    发表于 03-16 08:24

    SGM7SZ86:小封装高性能双输入异或门的技术剖析

    SGM7SZ86:小封装高性能双输入异或门的技术剖析 在电子设计领域,逻辑门芯片是构建数字电路的基础元件,其性能和特性直接影响着整个系统的运行。今天,我们就来深入探讨SGMICRO公司推出
    的头像 发表于 03-13 17:05 640次阅读

    MIC5330:小封装大能量的双路LDO稳压器

    MIC5330:小封装大能量的双路LDO稳压器 在电子设备小型化和高性能化的今天,电源管理芯片的性能和尺寸变得尤为关键。今天要和大家分享一款来自Micrel的双路300mA μCap LDO稳压器
    的头像 发表于 02-28 14:45 323次阅读

    探索TMP303:小封装大能量的温度监测利器

    探索TMP303:小封装大能量的温度监测利器 在电子设备的设计中,温度监测是一个至关重要的环节,它关乎着设备的性能、稳定性和寿命。今天,我们就来深入了解一款德州仪器(TI)推出的温度监测神器
    的头像 发表于 02-25 17:05 640次阅读

    探索LTC4095:超小封装打造高性能单节锂电池充电器

    探索LTC4095:超小封装打造高性能单节锂电池充电器 在便携式电子设备飞速发展的今天,高效、小巧的电池充电器成为了关键。Linear Technology的LTC4095以其独特的优势,为单节
    的头像 发表于 02-25 14:50 370次阅读

    SM74101 MOSFET 栅极驱动器:小封装大能量

    SM74101 MOSFET 栅极驱动器:小封装大能量 在电子工程师的设计世界里,高效、可靠且紧凑的MOSFET栅极驱动器是实现高性能电源管理和开关电路的关键。今天,我们就来深入了解一下德州仪器
    的头像 发表于 01-11 17:05 757次阅读

    Infineon BGS12SN6:小封装宽带RF SPDT开关的卓越之选

    Infineon BGS12SN6:小封装宽带RF SPDT开关的卓越之选 引言 在当今的无线通信领域,对于高性能、小尺寸的射频开关需求日益增长。Infineon的BGS12SN6宽带RF SPDT
    的头像 发表于 01-07 18:10 1358次阅读

    芯源的MCU最小封装是哪一种?有QFN的封装嘛?

    芯源的MCU最小封装是哪一种?有QFN的封装嘛?
    发表于 11-14 07:57

    中科电ZK150G09T:SGT工艺驱动的中压小封装MOSFET创新实践

    中科电研发的N沟道MOSFET ZK150G09T,以150V耐压、90A连续电流、TO-252-2L薄型封装及SGT(屏蔽栅沟槽)工艺为核心特征,精准匹配中压场景的小型化与高效化诉求,其技术设计与应用表现,为理解中压小封装
    的头像 发表于 11-04 16:20 737次阅读
    中科<b class='flag-5'>微</b>电ZK150G09T:SGT工艺驱动的中压<b class='flag-5'>小封装</b>MOSFET创新实践

    内置晶振、小封装的实时时钟IC-SD

    鸿合智远|兴威帆电子:内置晶振、小封装的实时时钟IC-SD
    的头像 发表于 05-28 10:01 1199次阅读
    内置晶振、<b class='flag-5'>小封装</b>的实时时钟IC-SD