应用碳化硅衬底材料的三代半导体的性能对比

用碳化硅作衬底的功率器件与硅基功率器件相比较，其电气性能更优越，主要有以下几个方面：

01、耐高压

碳化硅击穿电场强度比硅高10倍以上，使碳化硅器件具有耐高压性能，其性能明显优于相同规格的硅器件。

02、耐高温

碳化硅相较硅具有较高热导率使器件散热更加方便且极限工作的温度也更高。

耐高温特性能够在减少对于散热系统影响的同时带来功率密度显著地提升，也能够让终端产品能够更轻量、更小型化。

03、低能量损耗

碳化硅的电子漂移速率是硅的两倍，使碳化硅器件导通电阻极低，导通损耗也较小；

在禁带宽度方面，碳化硅是硅的三倍，这能使碳化硅器件的泄漏电流比硅器件显著地减小，进而减小了功率损耗；

碳化硅器件关断时不会出现电流拖尾，开关损耗较小，显著提高了实际使用中开关频率。

PS：同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，导通电阻下降到1/200、尺寸缩小到1/10；

同规格采用碳化硅基MOSFET逆变器与采用硅基IGBT逆变器比较，总能量损失在四分之一以内。

也正因为碳化硅器件所具有的以上优越特性，它能够满足于电力电子技术在高温，高功率，高压，高频以及抗辐射等苛刻工况下提出的全新需求，从而成为半导体材料领域最具前景的材料之一。