大数据时代迎来新挑战，聚焦半导体存储资深大咖解读共创新纪元！-电子发烧友网

来源：半导体芯科技SiSC

自电子设备诞生的那一刻起，储存芯片就作为数据保存的载体。随着大数据时代来临，AI与IoT的融合发展，数据量快速增加，存储需求相应急增。目前在集成电路市场上，独立存储芯片占集成电路总数量的约1/4。存储芯片作为数据存储物理介质，其可靠性、安全性尤为重要。它是各类电子设备实现存储功能的主要部件，也是应用最广泛的基础性通用芯片之一。同时，云计算的开放性使得用户数据安全性面临较大挑战。

DRAM、NAND FLASH等半导体存储技术，我国从无到有。存储芯片设计、晶圆制造、封装测试、模组应用等一系列存储产业集群日渐成形。存储芯片作为半导体产业的一个部分，国内存储芯产业的厂商期待与世界快速接轨。

2022年10月13日14:00-16:00第十四届晶芯在线研讨会之“大数据时代的半导体存储与数据安全”，由雅时国际商讯主办、大会媒体《半导体芯科技》杂志社协办、CHIP China晶芯研讨会承办的主题会议上，我社邀请到垂直存储产业链重量级企业，分别从各自领域深度剖析半导体以及存储产业技术、市场与应用等趋势。

ACT雅时商讯总裁、《半导体芯科技》出版总监麦协林先生在致辞中，向所有上线嘉宾表示欢迎和感谢，期待通过本次会议促进产业发展与企业间的联动。在这半天的直播时间里，共有近900名观众报名参加、近700人上线参与、近千条评论区实时互动留言，3852次点赞鼓掌，高频互动问答给大家更是留下了深刻的印象，反响热烈。

第一位演讲嘉宾，华润微电子新型半导体器件首席专家李少平。李博士一直在国际著名研究机构与国际高科技芯片和MEMS 传感器企业，从事非易失性存储器芯片与MEMS芯片的开发。李博士为我们分享了《新型非易失性存储芯片技术的产业化进展》。其中具体阐述了新兴非易失性存储芯片的特点、产业化现状，MRAM与铁电非易失性存储技术的现状和进展。以及非易失性存储的应用场景。

李博士在MRAM，FeRAM和ReRAM等新型非易失性存储芯片领域均有建树。2011年与团队一起在国际上最早提出采用Ta、W等非磁性重金属薄膜并利用 Edelstein效应制造垂直磁化SOT（自旋轨道转矩）MRAM存储器芯片。李博士认为，开发领先的非易失性存储器芯片的技术，目标在于发展下一代高密度, 高性能, 高可靠性芯片。短期目标市场可替代部分NOR Flash；我们应抓住全球非易失性存储芯片技术开发调整的机遇，填补原创新型非易失性存储芯片的技术空白(SOT与FTJ)，为存储芯片产业崛起打下基础。

第二位演讲嘉宾，深圳大学微电子研究院封测中心主任黄双武。黄教授获得新加坡国立大学博士后，已在新加坡和美国工作18年，先后服务于日立化成（HCAP）、美光科技（Micron）、星科金朋（StatschipPAC）、新加坡微电子研究所（IME）、瑞士SFS集团旗下Unisteel公司技术总监。2014回国加入硕贝德无线科技（SPEED）负责TSV制造和指纹模组封装技术开发。

黄教授深入浅出地为我们分享了《先进封装在存储器件中的应用》，详细介绍了存储芯片50年的技术发展历程，讲解了倒装焊接（Flip Chip-BGA）、3D封装扇出型晶圆级别封装（FOWLP）、 SoC&SiP、3D IC、硅通孔等先进封装技术，并探讨了未来50年存储芯片封装技术的发展方向，就异质异构集成电路发展趋势与面临挑战、大湾区的需求情况等进行总结报告。

第三位演讲嘉宾，沛顿科技（深圳）有限公司首席技术官何洪文。何博士给我们分享了半导体发展的驱动力，先进封装的市场和技术趋势、先进封装面临的挑战，以及存储封装的解决方案。

据预估，2030年全球半导体销售额达万亿，相比2021年复合增长率6~7%。高端产品封装市场增长迅速; 国内存储芯片需求庞大、自给率低，新兴应用及政策推动助力国产存储芯片快速发展。由于半导体工艺越来越接近极限，每一代工艺带来的性能增益越来越小，先进封装将成为芯片性能提升的主要推动力。先进工艺的红利逐渐减少，不断缩减晶体管尺寸的技术路径开始放缓，先进工艺节点研发遭遇技术瓶颈。同时，随着高端存储芯片的演进，先进封装技术会更多地被应用。对于半导体封测领域的企业来说，先进封装被称为实现超越摩尔定律的有效途径， HB/TSV等先进封装技术的发展推动高端产品广泛应用， Chiplet异构集成提供低成本、高集成度的解决方案。本演讲中何博士主要重点介绍了POPt、3D TSV、Hybrid Bonding等先进封装技术的挑战，并阐述了沛顿科技在存储芯片封装技术领域的整体解决方案及技术规划。

第四位演讲嘉宾，东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊。陈总向我们分享了国内存储市场的现状及分析，东芯半导体作为本土存储Fabless芯片设计公司的自主创芯之路。

随着大数据时代来临，存储芯片市场需求巨大，汽车、新基建等产业发展迅猛，对存储芯片性能提出了更高的要求。国内存储企业迎头追赶。截至2021年，我国IC设计产业销售规模达到4519亿元，同比增长19.6%。其在国内集成电路全产业规模占比43%。东芯半导体专注于存储IC设计，提供小容量NAND、NOR、DRAM存储芯片的设计工艺和产品方案。其中，DS35X4GM-IB，是2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，拥有自主知识产权，是国内第一颗2xnm的SPI NAND Flash产品，提供3.3V/1.8V两种电压，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及物联网等领域，5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。该品一经推出就获得广泛关注。