荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现

荣湃Pai8131/Pai8171有别于传统半桥驱动芯片，采用了电平转换器Level Shifter，实现输入侧到半桥高侧驱动的控制信号传输。

荣湃半桥驱动芯片具备哪些出色性能表现？本期「技术课堂」荣湃资深技术将作详细解析

荣湃半桥驱动芯片Pai8131/Pai8171是基于荣湃iDivider隔离技术实现的高侧700V耐压的半桥驱动芯片。因为采用隔离技术实现信号传输，高侧承受电压由隔离栅设计决定，可以轻松实现非常高的耐压。

以Pai8131/Pai8171为例，虽然由于爬电距离标称高侧耐压为700V，但实测高侧承受电压在2000V以上。

得益于隔离技术重要参数指标之一，CMTI共模瞬态抗扰度，Pai8131/Pai8171 VS引脚瞬变电压抗扰度高达100V/ns，非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。

VS引脚产生震荡和负压的原因是当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从GND通过下管MOS的体二极管进行续流。在真实电路PCB布线中，该电流路径上会存在寄生电感，续流电流通过路径中的寄生电感，会在VS上产生负压。

电压大小与寄生电感、电流的变化速率成正比。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 越大；同时电路中寄生电感越大，则VS引脚产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动芯片。

此外，开关频率越大，开通速度越快，VS引脚产生的dv/dt，即电压变化速率越大。如果选择的半桥驱动芯片VS引脚dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动芯片内部逻辑错误，可能会使得驱动器的高侧和低侧同时输出高电平。上下管同时打开，造成短路，烧坏上下桥功率管。

荣湃将隔离技术方案应用于Pai8131/Pai8171半桥驱动芯片中，很好地解决了上述问题。内置了典型值520ns的死区时间，dv/dt抗干扰能力超过100V/ns，VS引脚能承受700V直流高压，非常适合高频、高压、高可靠性的各类桥臂驱动应用场景。

审核编辑：汤梓红