荣湃隔离驱动器出色的产品性能表现具体体现在哪些方面？

荣湃半导体始终以保证信号传输可靠性为第一要务，荣湃隔离驱动器出色的产品性能表现具体体现在哪些方面？让我们一起走进荣湃「技术课堂」，听资深技术专业解说

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荣湃隔离驱动器在大功率隔离式DC-DC电源应用中

在大功率隔离式DC-DC电源应用中，由隔离驱动器直接控制的上桥和下桥开通、关断的时间点是否精准，直接影响到电源系统的性能表现，所以隔离驱动器的时序特性非常关键。传播延时对称性好、脉宽失真小的隔离驱动器，可以有效提高电源系统的运行效率，降低开发阶段的调试难度。

荣湃半导体实验室实测结果显示，Pai8233C双通道隔离驱动器的传播延时小于20纳秒，脉宽失真小于1纳秒，通道间时序性能差异小于1纳秒，优于同类产品。

随着电源功率密度的要求不断提高，电源内的磁性元件体积必须缩小，硅功率管开关损耗过大，无法通过提高开关频率减小磁性元件、碳化硅、氮化镓等新材料功率器件。由于其开关损耗小、适应频率高，能够有效缩小电源系统的体积。而功率器件开关频率提高，会导致电源系统逻辑侧参考地和驱动侧参考地之间的电压变化率显著增加，对隔离驱动器的抗共模干扰能力提出了新的要求。

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荣湃隔离驱动器在典型的碳化硅电源应用中

在典型的碳化硅电源应用中，隔离驱动器需要承受超过80kV/us的共模干扰，而在硅MOS电源中，这一数值仅为15~30kV/us。

在开发隔离驱动器的过程中，荣湃始终以保证信号传输可靠性为第一要务。实验室实测结果显示，在电路两侧参考地之间施加高达167kV/us的共模干扰时，Pai8233C的输出波形和共模干扰施加前完全一致，没有发生错误。

在桥式电路中，一旦上管和下管同时导通，功率管上的电流会急剧增加，导致器件烧毁，系统失效。设计人员会通过在PWM控制器软件中，增加上下管同时关断的死区时间去避免直通。但是在使用分离式解决方案时，由于不具备硬件死区功能，上下管直通的风险依然存在。Pai8233系列隔离驱动器具有可编程的硬件死区功能，通过调整DT引脚对地的电阻大小，就能轻松调整Pai8233系列隔离驱动器的死区时间长度。

在外接20K欧姆电阻时，Pai8233C的死区时间约为178纳秒，表现稳定。实测结果显示，从零下40摄氏度到125摄氏度的温度区间范围内，Pai8233C的死区时间变化率低于2%，温漂现象很小。

Pai8233C的时序性能表现好，抗共模干扰性能强，硬件死区时间功能可靠性高，能够满足电源系统设计的需求。

审核编辑 ：李倩