Nexperia MOS管的技术优势分析

安世Nexperia半导体的产品应用非常广泛，产品出货量也非常大，年产销器件近1000亿颗。从产品类别上看，安世半导体包含分立器件、逻辑器件、MOSFET器件三大产品类别，其市占率居位于全球前三。

其中小信号晶体管和二极管、小信号Nexperia MOS管和接口保护器的市场份额均为第一;汽车用低压功率MOS管市占率第二，仅次于英飞凌;逻辑器件市占率第三，仅次于TI和安森美。在量产能力和工艺的成熟度远高于目前国内的竞争对手，国内代理有唯样商城等，原厂现货。

功率MOSFET的电压驱动、全控式和单极型特性决定了其在功率器件中的独特定位：工作频率相对最快、开关损耗相对最小，但导通与关断功耗相对较高、电压与功率承载能力相对较弱。Nexperia MOS管

Nexperia MOS管 功率MOSFET会在两个领域中作为主流的功率器件：

1.要求的工作频率高于其他功率器件所能实现的最高频率的领域，目前这个最高频率大概是70kHz，在这个领域中功率MOSFET成为了唯一的选择，代表性下游应用包括变频器、音频设备等。

2.要求工作频率在10kHz到70kHz之间，同时要求输出功率小于5kW的领域，在这个领域的绝大多数情况下，尽管IGBT与功率MOSFET都能实现相应的功能，但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗（高频条件下开关损耗的功耗占比更大）、更小的体积以及相对较低的成本成为优先选择，代表性的下游应用包括液晶电视板卡、电磁炉等。

耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行。

由于耗尽型N沟道MOS管在SiO2绝缘层中掺有大量的Na+或K+正离子（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子），当VGS=0时，这些正离子产生的电场能在P型衬底中感应出足够的电子，形成N型导电沟道；当VGS>0时，将产生较大的ID（漏极电流）；如果使VGS<0，则它将削弱正离子所形成的电场，使N沟道变窄，从而使ID减小。

这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效；不易被控制，使得其应用极少。

因此，日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在高端驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强型NMOS管最为常见的重要原因，尤其在开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。