NP2312MR n沟道增强型MOSFET概述

描述

NP2312使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。

一般特征

 VDS =20V，ID = 6

DS(上)(Typ) = 13.5 mΩ @VGS = 4.5 v

R DS(上)(Typ) = 17 mΩ @VGS= 2.5 v

 High 功率 和 电流 处理 能力

 Lead 免费 产品

 Surface 安装 包

应用程序

 PWM 应用 程序

 Load 开关

封装

 SOT-23-3L

原理图

标记和引脚分配

订购信息

典型的性能特征

审核编辑：汤梓红