台积电正式公布2nm制造技术,首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,而非现在的FinFET鳍式场效应晶体管技术,GAAFET技术将大大降低了漏电流和降低功耗的能力。
台积电2nm芯片性能提升10%-15%,功耗降低25%-30%,芯片密度增加了1.1倍以上,将应用于各种移动SoC、高性能CPU和GPU等领域。
值得一提的是,台积电采用FinFlex技术的3nm芯片将在未来几个月内投入生产,而2nm芯片将在2024年开始风险试产,预计将2025年实现量产。
综合正字自半导体行业观察、IT之家
审核编辑:汤梓红
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