台积电在北美技术论坛上宣布推出了先进工艺制程2nm,采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,预计在2025年的时候实现量产计划。
据台媒体报道,台积电为了扩大2nm芯片的产能,将在中清乙工建设半导体产业链园区,预计投入1万亿新台币,约等于2290亿元人民币。
台积电在2nm制程上带来了如高迁移率组件和全新的2D材料、Nanosheet / Nanowire的晶体管架构等新技术,而采用的2d材料更将用到除了石墨烯之外的新材料。台积电的2nm制程相比较3nm制程来看,在性能方面能够提升10—15%,功耗则会降低23—30%。
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