近日,台积电在北美技术论坛上首次宣布,将推出下一代先进工艺制程2nm芯片,将采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,2nm工艺全球即将首发,台积电公开承诺到2025年生产先进的2nm芯片。
据悉,三星公司也在上周对外正式官宣,已经开始大规模生产 3 纳米半导体芯片,3纳米工艺可以降低 45% 的功耗,性能提高 23%,并减少 16% 的面积,三星已经宣布计划在2025年之前交付2nm处理器。
2021年,台积电公司就已经获得了建造专门用于2nm工艺的新设施的批准,与目前的5nm工艺相比,这是一种完全不同的技术,需要相当大的投资。另外在2022下半年即将量产的3nm制程中,台积电或将仍然沿用FinFET架构。
不仅仅是2nm芯片,台积电还将引入ASML最强光刻机,2025年就会开始用来制造2nm工艺芯片。
本文综合整理自Tech情报局 IT之家 比特网
审核编辑:彭静
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