有新闻报道,日本将和美国合作,最早于2025年在日本启动2nm制程国内制造基地。
同时,台积电预计将在2024年年底和2025年进行2nm制程的风险试产,同时还透露,通过在中国台湾、中国大陆和日本建设新晶圆厂或扩产,预计到2025年,台积电的成熟制程的产能将扩大约50%。三星电子则同样计划在2025年实现2nm的量产。
台积电表示相较于其N3E(3nm的低成本版)工艺,在相同功耗下,台积电2nm工艺的性能将提升10~15%;而在相同性能下,台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%;晶体管密度仅提升了10%。
三星的计划,3nm GAA工艺预计会在6月份就试验性量产,相比5nm工艺,该工艺的性能提升15%,功耗降低30%,芯片面积减少35%。
文章综合芯东西、芯智讯、驱动之家
编辑:黄飞
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