0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

华为p50pocket参数配置

倩倩 来源:百度百科,华为官网 作者:百度百科,华为官 2022-05-20 10:22 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

HUAWEI P50 Pocket是华为公司于2021年12月23日发布的手机

HUAWEI P50 Pocket采用6.9英寸OLED屏幕;高度展开170毫米,高度折叠87.3毫米,宽度约75.5毫米,厚度展开7.2毫米,厚度折叠15.2毫米,重量190克;配有曜石黑、晶钻白、鎏光金三种颜色。

HUAWEI P50 Pocket搭载高通骁龙888八核处理器;后置4000万像素原色摄像头+1300万像素超广角摄像头+3200万像素超光谱摄像头,支持10倍数字变焦、自动对焦、荧光摄影、微电影等功能,前置1070万像素超广角摄像头;搭载4000毫安时容量电池(最大40瓦快充);出厂搭载HarmonyOS 2。

来源:百度百科,华为官网

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • OLED
    +关注

    关注

    121

    文章

    6390

    浏览量

    234609
  • 华为
    +关注

    关注

    218

    文章

    36284

    浏览量

    262994
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    后摩智能M50助力联想AI主机P7全球首发,引领1200亿级大模型从云端走进AI创新终端

    存算一体架构,在仅手掌大小的机身内流畅运行最高1220亿参数本地大模型。 后摩智能M50已进入量产阶段,P7的问世,代表着M50高能效端边侧推理能力正引领AI创新硬件进入可高效运行千亿
    的头像 发表于 05-20 18:00 1225次阅读
    后摩智能M<b class='flag-5'>50</b>助力联想AI主机<b class='flag-5'>P</b>7全球首发,引领1200亿级大模型从云端走进AI创新终端

    基于RT-Thread的RA8P1 CoreMark 6300分优化配置指南 | 技术集结

    目录概述资料来源RT-Thread测评RA8P1coremarkEEMBCBenchmarkRA8P1使用TitanBoard挑战coremark6300为什么需要精细配置总结一、概述本文旨在解析
    的头像 发表于 05-15 18:11 3455次阅读
    基于RT-Thread的RA8<b class='flag-5'>P</b>1 CoreMark 6300分优化<b class='flag-5'>配置</b>指南 | 技术集结

    深入解析FDN360P P-Channel MOSFET:特性、参数与应用

    深入解析FDN360P P-Channel MOSFET:特性、参数与应用 在电子设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是不可或缺的关键元件。今天,我们将深入探讨
    的头像 发表于 04-21 10:00 171次阅读

    探索 onsemi NTMS10P02R2 P 沟道 MOSFET:特性、参数与应用分析

    探索 onsemi NTMS10P02R2 P 沟道 MOSFET:特性、参数与应用分析 在如今的电子产品设计中,MOSFET 作为关键的功率开关元件,其性能对产品的效率和稳定性起着决定性作用。今天
    的头像 发表于 04-19 16:25 679次阅读

    探索 onsemi NTR4101P/NTRV4101P P 沟道 MOSFET:特性、参数与应用

    探索 onsemi NTR4101P/NTRV4101P P 沟道 MOSFET:特性、参数与应用 在电子设计领域,MOSFET 一直是至关重要的元件,尤其是在负载和电源管理方面。今天
    的头像 发表于 04-19 15:15 167次阅读

    探索NTR4502P和NVTR4502P P沟道MOSFET:特性、参数与应用

    探索NTR4502P和NVTR4502P P沟道MOSFET:特性、参数与应用 在电子工程领域,MOSFET作为关键的功率开关元件,广泛应用于各种电路设计中。今天,我们将深入探讨安森美
    的头像 发表于 04-19 10:10 283次阅读

    SPC560P44Lx/SPC560P50Lx MCU:汽车底盘与安全应用的理想之选

    SPC560P44Lx/SPC560P50Lx MCU:汽车底盘与安全应用的理想之选 在汽车电子领域,微控制器(MCU)的性能和可靠性至关重要。今天,我们要深入探讨的是ST公司
    的头像 发表于 04-16 11:35 271次阅读

    SPC560P44Lx/SPC560P50Lx:汽车底盘与安全应用的高性能MCU

    SPC560P44Lx/SPC560P50Lx:汽车底盘与安全应用的高性能MCU 在当今的汽车电子领域,微控制器(MCU)的性能和功能对于实现先进的底盘和安全应用至关重要。SPC560P
    的头像 发表于 04-16 11:30 299次阅读

    探秘K50子系列微控制器:特性、参数与应用考量

    K50子系列微控制器的特性、参数以及在设计过程中需要考虑的关键因素。 文件下载: MK52DN512ZCLQ10.pdf 一、K50子系列概述 K50P81M100SF2V2作为K
    的头像 发表于 04-10 10:15 189次阅读

    探索FQD3P50 P沟道MOSFET:性能、特性与应用

    探索FQD3P50 P沟道MOSFET:性能、特性与应用 在电子设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是至关重要的元件,广泛应用于各种电路中。今天,我们将深入探讨安森美
    的头像 发表于 03-30 13:45 280次阅读

    FQP3P50 P-Channel QFET® MOSFET深度解析

    FQP3P50 P-Channel QFET® MOSFET深度解析 一、背景 Fairchild半导体已成为ON Semiconductor的一部分,在系统整合过程中,部分Fairchild可订购
    的头像 发表于 03-29 15:30 538次阅读

    深入解析Onsemi FQD3P50 P沟道MOSFET

    深入解析Onsemi FQD3P50 P沟道MOSFET 引言 在电子设计的世界里,功率MOSFET是不可或缺的关键元件。Onsemi的FQD3P50 P沟道MOSFET以其卓越的性能
    的头像 发表于 03-29 15:25 651次阅读

    MySQL关键参数的最佳配置

    运维MySQL数据库十年有余,见过太多因为参数配置不当导致的性能问题。有的公司用着默认配置跑生产环境,128GB内存的服务器上InnoDB缓冲池只有128MB;有的把max_connections设成几万,结果OOM把数据库打挂
    的头像 发表于 01-27 10:32 581次阅读

    IXTY2P50PA MOSFET:高性能P沟道增强型器件的深度解析

    IXTY2P50PA MOSFET:高性能P沟道增强型器件的深度解析 在电子设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)作为关键的电子元件,在各类电路中发挥着至关重要的作用
    的头像 发表于 12-16 09:45 660次阅读

    如何配置和验证Linux内核参数

    在Linux系统运维和性能优化中,内核参数(sysctl)的配置至关重要。合理的参数调整可以显著提升网络性能、系统稳定性及资源利用率。然而,仅仅修改参数是不够的,如何验证这些
    的头像 发表于 05-29 17:40 1488次阅读