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SI24R2F大功率2.4G射频芯片的详细介绍

h1654156079.3603 来源:HDN13544288622 作者:h1654156079.3603 2022-03-31 12:04 次阅读
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目前全国有很多电动车因充电时电池温度过高,而导致爆炸引起火灾的情况。作为国内RFID行业的推动者,动能世纪联合中科微向IOT应用领域推出新款大功率2.4G射频芯片,并针对电动车防盗、电动车充电桩市场推出SI24R2F,为电动车标签在防盗的基础上增加温度检测、安全报警等功能,能有效防止电动车被盗及因电池而引起的火灾发生。SI24R2F可兼容之前的SI24R2E,且在性能上大大提升。

Si24R2F是一颗工作在2.45GHz ISM频段,专为低功耗有源RFID应用场合设计,集成嵌入式2.45GHz无线射频发射器模块、64次可编程NVM存储器模块以及自动发射控制器模块等。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz 带宽的信道。内部集成高PSRR的LDO电源,保证-3.6V宽电源范围内稳定工作。

Si24R2F采用GFSK数字调制与解调技术。数据传输速率可配置,支持2Mbps、1Mbps和250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发,因此可以具有更低的功耗。芯片输出功率可调节,根据实际应用场合配置相应适合的输出功率,节省系统的功耗。

Si24R2F针对低功耗应用场合进行了特别优化,在关断模式下,所有寄存器值与FIFO值保持不变,关断电流500nA;在待机模式下,时钟保持工作,工作电流为20uA,并且可以在最长130uS时间内开始数据的发射。

Si24R2F开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC时钟工作,内部TImer计时器开始计时,芯片工作在睡眠状态下,此时待机电流仅为500nA。当内部TImer计时器计满,自动发射控制器自动完成数据从NVM存储器的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠态。Si24R2F 的平均功耗非常低,特别适合纽扣电池供电的应用系统。操作方便,不需要外部MCU,即可以自动完成数据的装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为64次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。

Si24R2F具有非常低的系统应用成本,不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个有源RFID无线数据发射系统。

典型应用原理图:

SI24R2F大功率2.4G射频芯片的详细介绍

审核编辑:汤梓红

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