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2021的科技卦象·坎·全球缺芯洪水,中国造桥寻路

脑极体 来源:脑极体 作者:脑极体 2022-01-18 09:04 次阅读

过去一年里,全球缺芯焦虑,从汽车、电子消费等重点行业,演变成为一场覆盖上下游产业链、波及全球消费者的“特大洪水”。

对强芯片依赖的领域来说,2021年是断供情况几乎“没顶”的一年。汽车行业出现了减产、关停部分工厂,减配出货等情况;智能手机厂商同样困于芯片紧缺,产品研发与出货速度都受到了影响。

而随着代工厂产能向高价值、先进制程芯片侧重,缺芯的压力进一步传导到其他行业。

高盛的研究报告显示,全球有多达169个行业在一定程度上受到了芯片短缺的打击,包括从钢铁产品、混凝土生产到空调制造、啤酒生产等所有行业。深圳、东莞的一些中小型科创企业,如TWS耳机厂商、蓝牙互联厂商等,承受不了芯片短缺或价格暴涨的压力,倒闭不在少数。

2021年,全球缺芯已经成为滔天洪水,并以可见的速度袭来,影响着整个社会和每个人的生活。

于国家而言,缺芯引发的乱象需要规范。

物以稀为贵的芯片开始引起犯罪分子的注意。在美国,2021年10月29日,英伟达合作伙伴EVGA声称一批EVGAGeForceRTX30系列显卡在旧金山开往南加利福尼亚州配送中心的途中被盗。而早在2021年8月,中国国家市场监管总局就发布消息,对涉嫌哄抬价格的汽车芯片经销商企业立案调查,查处囤积居奇、哄抬价格、串通涨价等违法行为。

与此同时,因缺芯而延长的经济复苏、局势变化,也亟待国家力量的参与和变革。比如曾因美国扶持而崛起的韩国半导体行业,也出现了利益分歧。《韩国时报》认为,韩国芯片公司实际上正面临美国《国防生产法》的“胁迫”;中国的芯片“国产化替代”,伴随着2021年新基建、数字经济的加速而缓慢起步。

于个人而言,芯片也不再只是“断供”“实体清单”之类的政治话题与谈资,作为成本的最终承担者与芯片的最终使用者,2021年全球缺芯的影响开始真正影响我们的日常生活。

有消费者因为汽车厂商无法生产,而迟迟提不到车,有的则不得不接受减配的操作;手机新品的出货速度与营销优惠的幅度都小了很多,降低了手机消费者的换机欲望;而MCU电源管理芯片、Wi-Fi芯片等产能被挤占,也让更多电子功能产品出现了涨价的情况,芯片产业链的成本上涨已经传导到终端消费者身上。

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你可能会问,既然缺芯已经持续了一年多,直到现在全球都还没有找到解决方法吗?

治芯如治水。

具有强周期性的芯片半导体产业,也如同治理水患一样充满了各种纠结与权衡。

水多了会涝,水少了会旱,芯片领域中,产能往往也需要代工厂提前布局,反周期建设意味着不确定因素很多,投产多了会杀价,投产少了不够用。

2021年,世界各地的晶圆厂几乎都在满负荷运转。但正如台积电董事长刘德音所言,其中存在大量重复订单,“28纳米现在看似供不应求,但其实全球产能仍大于需求”。如果盲目建立新工厂扩大产能,未来又会出现产线不饱和的情况。

国际数据公司(IDC)就认为:芯片供应将于2022年中期实现供给平衡,到2023年,又可能会出现芯片产能过剩,即供过于求。

艰难险阻,坎之事象也。全球缺芯的命题,正如“坎”(kǎn)卦一样,充斥着低洼的困局、隐藏的危险、层层叠加的险上加险。

仅2021一年的时间,或许不足以令世界半导体格局发生天翻地覆的变化,但中国需要使用怎样的方法和思路来架桥修路,化解芯片危局,2021其实给了我们足够多的启示。

洪水之年:缺芯影响究竟有多大?

《圣经》中有洪水灭世,古代中国有大禹治水,洪水之患是人类长久以来忧惧的大型灾害之一。而2021,发生在数字世界的“全球缺芯”,则如同洪水般吞没了一个又一个行业,让整个世界变成了大型焦虑现场,曾经光鲜的企业们都在芯片短缺和涨价的威胁下进入了惨烈的厮杀。

时至今日,芯片短缺这一问题已影响了数个行业。其中,芯片成本占据全行业GDP4.7%的汽车行业,首当其冲。

现代汽车的生产制造涉及到数十个微控制器,整车的电子元器件和芯片数量非常高。博世中国总裁蒋健曾分享过,当前传统内燃机车辆约用100至200片半导体芯片,新能源车所用的芯片与传统燃油车相比呈5倍递增。而只要有一颗芯片断供,车辆就无法制造。

今年以来,大众、丰田、福特、本田等多家跨国车企巨头,以及蔚来、理想等造车新势力,都受到了芯片短缺的影响,出现停产、减配、提车难的情况。有汽车高管在微博发声:“展厅的展车都几乎卖光了,只能摆车模。”

欧洲汽车制造商协会(ACEA)发布的数据显示,今年7月和8月,欧洲新车注册量同比分别下降24%和18%,这是自2013年欧元区经济危机结束以来,跌幅最大的两个月。中国2021年的汽车销量也因为产量减少而出现负增长。

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另一个尤为紧张的,则是消费电子行业

智能手机使用的芯片销售额占比26%,排在芯片应用领域的首位。而随着5G的普及、手机性能对先进制程的依赖、SoC芯片的发展趋势,所需要的芯片数量和工艺精度增高,都对有限的产能提出了挑战,直接影响到智能手机厂商。

据《电子时报》报道,苹果计划向高通三星采购5G基带芯片,但却遭两者拒绝,三星回应的理由是供应量不足。

没有高制程5G芯片,就意味着智能手机新品无法供货,市场面前只有对手。加上华为受限于5G芯片采购,相当于让出了一个巨大的高端手机市场份额,2021年大量手机厂商都开始未雨绸缪,出现了囤积芯片的现象。根据《日经亚洲》报道,小米2021年对供应商提出了采购高达2.4亿台手机对应配件的计划,而小米2020年全球出货量是1.46亿台,其他厂商也如法炮制,核心芯片的需求,挤占了代工厂的产能。

为了优先保证手机芯片的供应,又进一步影响了其他芯片,如电源管理芯片、驱动芯片、射频芯片等的生产,进而使得大量网通产品涨价或告急。高盛的研究报告认为,在芯片上的花费超过行业GDP1%的产业,都将受到芯片短缺的影响。

比如,因为高通将芯片产能分配给手机芯片,进而影响了一款Wi-Fi芯片的生产,导致许多国内无人机厂商开始缺芯;而被认为是低附加值的MCU微控制器,小到智能家电,大到智能制造设备、汽车保障系统,几乎都有MCU的身影,也“物以稀为贵”,价格增长了几十倍,从几毛钱炒到近10元,汽车MCU芯片则高达5美元左右,最终成本都将层层传递到终端消费市场,你我都是买单人。

祸事之因:谁制造了全球缺芯?

如果说“实体清单”还是出于情怀的义愤填膺,那么2021年全球缺芯导致的涨价伤钱就是每个人的切身之痛了。而前者还可以将美国政客作为罪魁祸首,但到了2021年,局面就变得非常复杂了。

全球缺芯,犹如大禹治水,要面对的是一个复杂的、充满了变数和不可控因素的庞大系统。

首先是天灾。

2021年,持续发生的自然灾害与疫情反复,都在延迟这芯片半导体的产能恢复。2021年年初,美国得克萨斯州遭遇冬季风暴袭击,三星电子、恩智浦和英飞凌等多家半导体在奥斯汀附近的工厂一度被迫停工;2月,日本发生7.3级地震,影响了两大硅晶圆Wafer厂信越和SUMCO厂房;3月,日本汽车芯片主力供应商瑞萨电子发生火灾,不得不停产一个月;5月富士康、立讯精密、三星电子等企业都关闭了位于越南的工厂;6月,全球50多家企业在马来西亚的分厂因疫情全部停工,当地封测产能占据全球封测产能的13%;8月,马来西亚新冠疫情反复,部分芯片工厂停工,给博世多个系统的芯片都造成了大量影响,特斯拉的车辆交付时间也因此延长……

2021年,这些发生在产业链关键环节与区域的天灾,直接加剧了全球缺芯的紧张状态。

其次是人祸。

如果说天灾是意外,那么动荡的政治局面和企业的哄抢行为,则是形势进一步严峻的推手。

一方面,受美国制裁的影响,手机厂商不得不加大囤芯力度,导致需求量大幅上升。此外,有些企业为了确保不断供,向两个或两个以上的工厂下相同的订单,又在一个工厂交付之后,取消另一家工厂的订单,也就是台积电所说的“重复订单”,直接影响了代工厂的排产计划,很难计算出订单积压总量,工厂于是优先将产能分配给高批量订单和利润更高的订单,比如高通在2021投资者大会宣布,全方位发力汽车领域。

半导体头部厂商纷纷发力汽车领域,又导致了小众芯片的缺货和涨价。

2021年8月,中国市场监管总局依法对上海锲特电子有限公司、上海诚胜实业有限公司、深圳市誉畅科技有限公司三家汽车芯片经销企业哄抬汽车芯片价格行为共处250万元罚款,就是因为这三家企业大幅加价销售部分汽车芯片,将进价不到10元的芯片,以400多元的高价销售,扰乱市场价格的同时,又进一步制造了紧张情绪,加剧恐慌性备货。

当然,除了骂老天爷、骂无良政客、骂市场掮客,我们还必须接受一个事实,那就是半导体的行业规律和市场供需规律,决定了芯片就是会涨价的。

数字经济以及线上生活,笔记本电脑、家用网络设备等电子产品的销量大幅增长,智能家居、IOT、智能指纹门、农业无人机、电子围栏等传统设备的联网化、智能化需求,元宇宙带动VR/AR等设备的流行,这些电子产品的规模扩大,会导致芯片需求成倍增长,产能有限的前提下价格自然会上涨。比如2021年,应用在中低端手机的500万像素和800万像素的CIS芯片,就出现了严重短缺。

与无限扩大的终端需求相比,半导体产能本身就灵活性较低。

无论是IDM(
IntegratedDeviceManufacture)还是Foundry(代工厂),其产能利用率的弹性都是相对有限的,一般会维持在80%以上,目前都已经达到100%。而扩大产能需要新建厂,投资动辄高达百亿,还需要1-2年的成熟运营期,做出扩张的决策并不容易,直接导致短期内无法跟上市场需求。

比如大部分汽车控制芯片、5G射频芯片、物联网设备芯片,都是采用8英寸晶圆制造的,但全球8英寸晶圆产线数量不断减少,新建晶圆厂往往会选择能生产先进制程的12英寸晶圆,这就导致成熟制程芯片产能本身就不足。因此,IDC认为由于成熟工艺技术的材料成本和机会成本,芯片价格还会继续上升。

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(台积电2021年二季度各制程所占营收比例)

总的来说,前所未有的全球缺芯是多重因素叠加的结果,既有不可预测的天灾人祸,也是半导体产业链周期性、协作性导致的必然。

方舟之路:中国芯片的堤坝与桥梁

在浩浩汤汤的缺芯洪水面前,几乎所有半导体区位都在尝试筑起堤坝。

2021年6月,美国参议院通过《美国芯片法案》,要求美国政府提供数百亿美元支持半导体行业在美国的发展。9月末,美国又召开了全球芯片业峰会,英特尔、台积电、苹果、微软、三星电子和福特等企业代表参与了此次会议,寻求化解芯片短缺局面的方法。欧盟则在《数字罗盘计划》后,推出欧洲芯片法案,提高该区域芯片的自给自足能力。

中国在2021的十四五开局之年,提出了2025年产业规模目标,各地都制定了相关集成电路产业规划,国家大基金二期向晶圆制造企业投入资金超过400亿。在这么多动作面前,中国缺芯问题能缓解吗?

如果将缺芯看作是大禹治水,那么疏通河道的方向主要有三个。

1.自研。

要从根本上解决缺芯问题,只能走上芯片自研自立之路。

以特斯拉为例,之所以能够在2021年全球缺芯的大背景下,依然能够取得不错的市场成绩,没有被芯片耽误,正是因为其具备自研芯片的能力,从而快速响应市场变化,而不是被动等待供应商的配合。

2021年,我们可以看到许多车企和手机厂商都开始选择自研。上汽与英飞凌联手成立上汽英飞凌,主攻车规级IGBT芯片;理想和蔚来也搭建了自动驾驶团队,开始自动驾驶芯片自研进程。手机厂商中,小米、OPPO、vivo等也相继公布了自研芯片。百度昆仑2宣布量产,字节跳动入股多家半导体公司。与行业需求和特质相结合的中国造芯之路,已经迈出了坚实的一步。

2.合作。

中国半导体终要走上独自行走的道路,但必须承认的是,半导体产业链已经在事实上全球同呼吸、共命运,很多关键环节在短时间内无法替代。法国半导体材料大厂Soitec的首席执行官保罗·布尔德就认为,即使欧洲有能力建立一个重要的、具有自主权的芯片供应系统,但它不一定能运作起来,需要在世界其他地区同样得到支持才行。

目前,中国半导体产业在整体设计、高制程制造等方面还与头部有着相当的差距,比如5纳米制程的SoC芯片、存储芯片的规模化量产,必须通过头部代工厂完成,光刻机等重要设备、材料的攻克也非一朝一夕。就算有一天解决了本土的产能危机,芯片作为强周期产品,未来如果本地市场无法消化多余产能,同样会让本土半导体企业面临风险,所以中国半导体不可能、也不应该闭门造车,需要联合全球上下游产业一起缓解缺芯问题。

如何确保中国企业能够快速了解供应链变化,这就要求提升谈判能力,确保优先供应与价格稳定。有业内人士曾告诉我们,这一方面要求中国半导体行业集中精力办大事,在某些关键产业环节上也能做到“卡别人脖子”,培育出拥有谈判权的头部公司;此外,中国庞大的市场规模也能吸引海外相关企业作为同盟,共同创新、合作共赢。

3.另辟蹊径。

之所以中国芯片并不悲观,正是因为芯片产业链的全球性与规模效应,只要有足够大的市场和良性的商业循环,总有一天能够追平甚至引领全球半导体产业发展。

而具体到商业机遇上,资金投入必须有的放矢,尽快形成中国半导体产业的核心优势与“拳头产品”,跻身世界半导体格局的重要一席。那么,哪些市场会是中国的机遇呢?

1.AI计算。目前,与AI计算相关的芯片产品极度短缺,比如被犯罪分子盯上的GPU就适用于AI训练和推理。此外,中国产业智能化的转型升级也带来了大量AI芯片的需求,清华大学的魏少军教授曾提出,未来AI芯片需要一个通用的、高效能的深度学习引擎来驱动,芯片架构的创新在于软件定义芯片,或者称粗粒度可重构架构(CGRA),要同时兼顾硬件可编程性和软件可编程性。这恰好可以充分发挥中国在AI领域的领先优势,弥补硬件基础层的短板。

2.工业互联网。中国千行百业的数智化转型,其中工业互联网是核心场景之一,存在大量的芯片需求,尤其是一些低成本、成熟制程的工业芯片。比如德州仪器的模拟芯片就有十几万的SKU,其中一些长尾类的小众芯片,经过中国市场的规模放大,足以支撑起可观利润,中国半导体产业链的能力完全可以做到,也更熟悉本土企业的个性化、差异化需求,从而持续打开市场空间与商业价值,形成良性循环。

中国人认为《坎卦》的解决之道,是“维心亨,行有尚”,意思是内心不畏艰险,用坚定刚毅的行为突破重重险难。在缺芯这场“洪水”中,每一个人、每一个企业、每一个国家都无法独善其身,也都能够参与到“自救”当中。

中国半导体的2021,是在为未来造桥修路;而你我的每一次选择,也是在为中国芯片的堤坝添砖加瓦。或许在不远的将来,我们就能够突破重重险阻,看到芯片供需的水旱从人,数字经济的沃野千里。

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    的头像 科技绿洲 发表于 05-18 11:28 338次 阅读

    龙讯LT8911EXB高性能MIPI转EDP分辨率1080P概述

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    为了更好地保护文物、游客文明游览,海康威视助力临沂市银雀山汉墓竹简博物馆数字化建设,包括视频管理、入....
    的头像 科技绿洲 发表于 05-18 10:30 183次 阅读

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    的头像 汽车玩家 发表于 05-18 09:03 289次 阅读

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    的头像 Hobby观察 发表于 05-18 07:52 732次 阅读
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    瑞萨电子投资甲府工厂,300mm功率半导体产线恢复

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    的头像 21克888 发表于 05-17 15:51 321次 阅读
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    在今年最重要的图形学大会(SIGGRAPH 2022)上, NVIDIA 的论文合著者将发表创纪录的....
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    一种革命性的新型模拟技术

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    LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

    LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
    发表于 01-08 17:51 2024次 阅读
    LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

    TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

    TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
    发表于 01-08 17:51 563次 阅读
    TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

    TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

    TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
    发表于 01-08 17:51 498次 阅读
    TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

    LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

    LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
    发表于 01-08 17:51 612次 阅读
    LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

    TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

    TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
    发表于 01-08 17:51 1157次 阅读
    TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

    INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

    INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
    发表于 01-08 17:51 650次 阅读
    INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

    LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

    LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
    发表于 01-08 17:51 711次 阅读
    LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

    LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

    LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
    发表于 01-08 17:51 1216次 阅读
    LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

    AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
    发表于 01-08 17:51 2650次 阅读
    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
    发表于 01-08 17:51 2216次 阅读
    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
    发表于 01-08 17:51 418次 阅读
    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
    发表于 01-08 17:51 568次 阅读
    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
    发表于 01-08 17:51 595次 阅读
    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
    发表于 01-08 17:51 1071次 阅读
    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    LM358B 双路运算放大器

    LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
    发表于 01-08 17:51 1170次 阅读
    LM358B 双路运算放大器

    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 642次 阅读
    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
    发表于 01-08 17:51 596次 阅读
    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 599次 阅读
    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器