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抢下台积电客户!三星拿下IBM和ST的微控制器订单;华为申请注册“元 OS ”商标……

来源:电子发烧友网 作者:电子发烧友网 2021-12-18 06:04 次阅读

华为再次发力元宇宙,近日申请注册“元OS”商标

天眼查显示,华为技术有限公司近日申请注册“元OS”商标,商标国际分类涉9类科学仪器,目前商标状态为注册申请中。为了加入元宇宙,华为技术有限公司在11月获得“双模式耳机”专利授权,专利摘要显示,双模式VR和AR耳机包括头部连接装置、连接装置的主框架和枢轴框架(包括支架、反射屏)。该枢轴框架枢接至主框架上,可使枢轴框架在第一枢轴框架和第二枢轴框架之间移动。华为此前还发布了基于虚实融合技术Cyberverse(河图)的AR交互体验App星光巨塔。星光巨塔提供了多种LBSAR玩法,参与者进入App可以看到一个虚实融合的世界。 Monika点评:“元宇宙”概念爆火之后,科技巨头纷纷入局,苹果在近10年的时间里陆续申请了超过2000项的AR/VR相关专利,华为也在近日终于有了相关商标的更新。不过在“元OS”商标进入大众视野之前,华为早在VR领域有所布局,已经推出了VR眼镜,但是与VR头显相比,VR眼镜在市场上始终没有燃起消费热情。接下来,随着华为、苹果等巨头的相继布局,以及OPPO近期发布的第三代AR眼镜等更多新品之后,能否带动消费市场值得期待。值得关注的是,在华为获得“双模式耳机”专利授权之后,也将提升用户在体验过程中的听觉效果。另外,华为未来的元宇宙或许将与APP结合,让消费者自由选择自己想进入的虚拟世界。从华为的种种布局里面似乎已经能看到华为元宇宙的雏形,但相信华为接下来将有更多的布局为元宇宙“铺路”,华为会打造一个怎样的元宇宙将比VR眼镜产品更加值得期待。

汇川技术加码气动元器件,储能业务再出发

据牧气精密官网介绍,至10月底,牧气精密已成为汇川技术全资子公司。汇川技术加码气动元器件业务,完善光机电液一体化产品布局。同时,汇川技术今年新成立能源SBU,包含电力、煤矿、光伏、锂电及储能等业务线,围绕双碳方向做整体布局。Sisyphus点评:牧气精密成立于2015年,主营气动元器件、电动滑台、丝杠滑轨等自动化零部件,供货富士康、华为、蓝思科技等3C制造业企业,与行业头部企业有稳固的供应关系。牧气精密的气动元器件等产品引入,完善了汇川技术通用自动化领域光(编码器等)机(丝杠电机等)电(变频器伺服等)液(液压注塑机等)一体化产品布局,会大幅推动旗下产品线从单点产品、部分解决方案产品向产业自动化整体产品拓展。而储能业务可以说是汇川的再度出发。汇川技术的储能业务2012年曾有过布局,中途战略收缩后就此搁置。今年新成立能源SBU,包含电力、煤矿、光伏、锂电及储能等业务线,围绕双碳方向做整体布局,已有1000V、1500V储能逆变器产品。从机会捕捉能力和对发展的预判来看,汇川技术无疑是清晰的且目标明确的,上下游产品线布局环环相扣。唯一美中不足的可能就是在多线布局后新的产品线还未开拓达到预期。当然,这应该也只是时间问题。

2021年中国平板电脑市场增长率将创8年来新高

12月17日,国际数据公司IDC发布了最新的平板电脑季度跟踪报告,其中显示2021年中国平板电脑市场将会创2013年以来最大的同比增幅,预计全年增长22.4%,整体出货量约为2860万台。IDC方面表示,2022年中国平板电脑市场将延续增长趋势,预计2022年中国平板电脑出货达到3064万台,同比增长7.1%。同时商用市场竞争加剧,学生平板电脑将触底反弹,重新恢复增长。此外,平板电脑将继续向大屏化发展,待机时间增强。Simon点评:平板电脑作为手机与PC的中间产品,如今已然站稳自己的产品定位。同时两年来受疫情的影响,导致宅经济以及居家办公的兴起,不少消费者都选择使用平板电脑作为自己的上网的工具相比PC更为复杂的操作以及相对昂贵的价格,平板电脑在教育、办公、餐饮等应用场景中有其独到的作用,这也是为何如今平板电脑市场增速越来越快。并且仔细分析后可以明白,平板电脑最大的优势其实就在于作为大号手机的替代品,可以完美适应如今手机的软件生态,降低初学者的学习成本。如果单从生产力角度来看,平板电脑自然无法和PC相比,但网课、视频、游戏、远程会议等应用都不需要太复杂的操作。平常的编辑文本、制作PPT、修改图片等工作,平板也能够完成,这就使得PC中的轻量应用可以在平板电脑中完成。对于厂商而言,生产平板电脑的技术甚至还不如智能手机。如今市场正在重新焕发生机,也将吸引到更多的玩家涌入其中。

抢下台积电客户!三星电子拿下IBM和意法半导体的微控制器订单

在全球芯片短缺没有减缓迹象的情况下,IBM公司和总部位于瑞士的意法半导体,日前选择不再等待台积电制造的芯片,而是将代工订单交给三星电子。三星向IBM供应的芯片将用于生产采用先进制造技术的新一代服务器。这是意法半导体首次将其主要客户所需微控制器单元的生产外包。这些采用16纳米制造工艺的微控制器,将用于苹果公司的下一代iPhone。Lily点评:2021年芯片缺货成为常态,其中MCU芯片的交货期从16周增长到24周以上,据业内消息人士称,部分MCU订货交付时间长达40周。这次三星采用16nm规格,和传统的MCU相比,新品的体积更小,功率密度更强。据悉,全球委托外包的70%MCU都由台积电生产,三星公开抢单,可以看作是这家厂商想改变市场格局的一个试探。当前,台积电在晶圆代工市场的市场份额从第二季度的52.9%提升至53.1%。目前台积电和联华电子控制着全球80%的代工市场。台积电的前十大客户包括苹果、联发科AMD高通博通、Nvdia、Sony、Marvell、STM、ADIIntel。台积电目前产能吃紧也是公开的事实。今年三季度台积电晶圆代工收入是148.84亿美元,远超三星的48.1亿美元,同时台积电的市占率增至53.1%,而三星市占率则降至17.1%。三星赢得意法半导体的MCU订单使人们对三星进军汽车MCU代工领域的预期增强。

英伟达传感生态激光雷达阵容扩大,禾赛成首家中国公司

12月16日,国内激光雷达公司禾赛科技宣布与英伟达NVIDIA达成合作,英伟达将在其NVIDIADRIVE平台使用禾赛的Pandar128激光雷达作为其自动驾驶开发系统的真值传感器 Hobby点评:英伟达在自动驾驶领域,早已不甘于只当一个算力硬件供应商,除了性能强大的车载芯片之外,在软件生态方面,英伟达正在延续他们在GPU领域的优势。以DRIVE开发平台为例,英伟达的这个平台能够为自动驾驶提供全套开发工具链,其中感知端方面,英伟达与多家传感器供应商合作,特别是激光雷达。事实上,自11月中旬,在一个月时间内,英伟达就跟包括Luminar、Ouster、AEye还有刚刚官宣的禾赛科技这四家激光雷达供应商达成了合作。而细看英伟达传感器生态合作伙伴的名单,共37家公司,其中有近四成为激光雷达供应商,而禾赛是英伟达传感器生态中的首家中国公司。今年下半年,激光雷达上车已经呈现出爆发的迹象,小鹏P5、LucidAir、极狐阿尔法SHI版等搭载激光雷达的车型相继量产交付,而已经发布预计明年量产的车型则更多。英伟达借助其强大的计算平台,与激光雷达厂商的密切合作,除了让其ORIN计算平台以及DRIVE开发平台更好地适配供应商产品,包括激光雷达在使用过程中的一些精度问题之外,还将降低未来主机厂应用激光雷达的整体研发成本,大幅缩短开发时间。随着激光雷达的价格下探,英伟达构建的传感生态对于激光雷达规模上车会起到重要的推动作用。
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    发表于 11-13 09:07 188次 阅读

    STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

    relectronics STLUX385A 数字 LED 照明驱动器是 ST MASTERLUX™ 数字器件系列产品,专门用于照明和电源转换。STLUX385A 成功集成了多种架构和应用,从用于 LED 驱动的简单降压转换器、用于功率因数校正的升压转换器、用于可调光 LED 灯串的半桥谐振转换器,一直到 HID 灯镇流器中的全桥控制、无线电源充电器及电视电源等各种应用。 SMED SMED是由内部或外部事件触发的硬件状态机。 例如,在电源应用中,SMED可以关闭调节回路,当它检测到过流或短路时自动关闭电路,从而保护电路。 由于SMED是嵌入的,它们保证了比标准中断驱动微处理器提供的事件反应时间短。 特性 6SMED控制的PWM提供任何功率转换阶段(状态机事件驱动)的完全控制) 集成DALI(数字可寻址照明接口),实现控制、通信和监控功能 集成数字核心,使STLUX易于使用和可编程 新的...
    发表于 11-11 09:07 205次 阅读

    STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

    oelectronics无刷电机驱动器是采用三相桥式配置的功率驱动器。其中包括用于霍尔效应传感器、PWM电流控制器和微控制器、DSP或FPGA的内置解码逻辑。这些器件包括针对过热、过流和欠压条件的保护和诊断特性。这样即可实现稳健可靠的设计。这些驱动器采用多种节省空间的散热增强型封装。STSPIN 3相BLDC电机驱动器IC为电机和运动控制提供了即用型解决方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
    发表于 11-10 09:07 389次 阅读

    LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

    oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
    发表于 11-09 12:07 244次 阅读

    STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

    oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
    发表于 11-09 12:07 203次 阅读

    PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

    oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
    发表于 11-09 12:07 162次 阅读

    STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

    oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
    发表于 11-06 09:07 357次 阅读

    ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

    oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
    发表于 11-05 17:07 137次 阅读

    LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

    oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
    发表于 11-05 17:07 200次 阅读

    VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

    半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
    发表于 10-30 14:06 201次 阅读

    PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

    oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
    发表于 10-30 14:06 231次 阅读

    LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

    oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
    发表于 10-30 14:06 137次 阅读

    LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

    oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
    发表于 10-30 11:06 165次 阅读

    LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

    oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
    发表于 10-30 11:06 147次 阅读

    STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

    oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
    发表于 10-30 10:06 332次 阅读

    STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

    oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
    发表于 10-30 10:06 248次 阅读

    LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

    oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
    发表于 10-30 10:06 243次 阅读

    L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

    oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
    发表于 10-30 10:06 285次 阅读

    L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

    oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
    发表于 10-29 13:06 168次 阅读