mos管工作原理 N沟道mos管工作原理

mos管工作原理

MOS管（MOSFET）名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制器件，也是单极型器件。场效应管分为PMOS管和NMOS管，两者都属于绝缘栅场效应管。

MOS管的Source（源极）和Drain（耗尽层）可对调，都是在P型backgate中形成的N型区。

增强型：当VGS=0时，漏源没有导电沟道，在VDS作用下没有iD

耗尽型：当VGS=0时，漏源有导电沟道，在VDS作用下有iD

N沟道增强型MOS管：

VGS=0，存在一个PN结反偏，不存在导电沟道，则iD=0，VGS》0，管子才能工作。

VGS》0，P区表面将形成导电沟道，反型层变厚导致VDS上升，iD随之上升

N沟道耗尽型MOS管：

制造时在栅极绝缘层中有大量正离子，当VSG=0，两个N区仍存在导电沟道

P沟道增强型MOS管：

VGS=0时，iD=0，开启电压《0，当VGS《0时，管子才能工作

P沟道耗尽型MOS管：

制造时在栅极绝缘层中有大量负离子，当VSG=0，两个N区仍存在导电沟道

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