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国内首批实现了太赫兹RTO辐射源1THz频率突破

MEMS 来源:中国电科 作者:中国电科 2021-05-24 13:57 次阅读
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记者近日从中国电科网络通信研究院获悉,该院在国内首批实现了太赫兹RTO辐射源1THz频率突破。

据悉, 太赫兹通信是未来6G通信的关键技术之一,基于电子学的太赫兹高速无线通信系统目前是国际上太赫兹科学成果中最为突出的一个方向。 

太赫兹振荡器(RTO)是一种新型、可在室温下工作、超小型的太赫兹波源,也是目前频率最高的固态电子学太赫兹波源。由于其体积小、重量轻、便携性强,极易应用在地面短距离室内高速无线通信、空间飞船等飞行器舱内高速无线数传等场景。但目前该频段的应用尚处于研究状态,制约该频段发展的一个重要原因就是太赫兹波源的理论和设计尚不完善。国际上已知RTO最高振荡频率可达1.98THz,国内最高报道仅为340GHz,亟需追赶和超越。

网络通信研究院北京研发中心太赫兹通信团队经过刻苦攻关,突破了RTO器件自主研制、RTO与其它器件集成和RTO功率提升等关键技术,解决了THz辐射源系统和探测系统小型化的共性问题,在国内首批实现了RTO辐射源1THz频率突破。

据了解,该成果可应用于太赫兹源、振荡器、上下变频器、调制器、高灵敏外差式THz探测系统等领域,为未来太赫兹高速通信和探测设备的小型化提供了良好的技术支撑,未来将会对我国军用及民用领域产生巨大的经济效益和社会效益。

责任编辑:lq

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原文标题:中国电科在国内首批实现太赫兹RTO辐射源1THz频率突破

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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