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安森美半导体FAN53870为智能手机提供优化的电源方案

安森美 来源:安森美半导体 作者:安森美半导体 2021-03-02 11:16 次阅读
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如今的智能手机广告几乎都包含了手机背面摄像头的绚丽慢镜头。最新的智能手机机型上的摄像头已经成为创新的领先指标,也是厂商用来区别于竞争对手的一项功能。除了多镜头和图像传感器外,新的相机技术还提供了更高的分辨率、改进的变焦和更好的低光拍摄性能。

据估计

2020年拍摄的数字图像数量约为1.7万亿张,其中85%以上的图像是以智能手机拍摄的。从2013年到2020年,数字图像的增长率每年增长14%。预计这种逐年增长的趋势将持续到2026年。

考虑到这一趋势的增长速度和寿命,其非常明显的原因是手机制造商专注于相机和图像质量的持续改进和创新。当我们的目光被这些浮华的消费广告中的相机功能所吸引时,大多数人并没有考虑到这些时尚设备背后的电气性能。

虽然许多消费者只是享受智能手机带来的清晰照片,但他们却低估了为确保画质优化所涉及的设计工作。影响画质的一个重要因素是为相机模块供电的电源管理集成电路(PMIC)的精度、稳定性和抗噪能力。

安森美半导体最近开发了FAN53870:两个低输入LDO、三个高PSRR LDO、两个通用LDO PMIC,以满足需求,为智能手机提供优化的电源方案。

智能手机的一个重要方面是将数字核心电源与敏感的模拟/射频RF)电源线隔离。FAN53870就是为解决这一难题而专门设计的,它具有精确的电压调节功能、同类最佳的电源轨之间的隔离功能以及低静态电流消耗,以延长电池寿命。FAN53870通过提供两个低输入电压调整器(LDO)、三个高电源抑制比(PSRR)LDO和两个通用LDO来支持相机模块的各种需求。

FAN53870框图

低输入电压LDO是专门为数字核心电源设计的,支持低至1.0V的输入电压和低至0.8V的输出电压。这些LDO的输出电压以8mV为步长,以1.5%的精度进行编程,优化了对高性能数字核的供电。这三款高PSRR LDO是特意为敏感的模拟/射频电路设计的,因为这些电源线上的任何噪声都会对图像质量产生负面影响。

虽然高PSRR LDO具有更宽的输出电压范围,并保持精确的8 mV步长,但这些LDO的主要特点是业界领先的PSRR和14µVRMS的输出噪声。

最后但同样重要的是,FAN53870包括两个通用LDO,为智能手机设计人员提供了灵活性。这些通用LDO具有多功能性,输入电压范围宽广,为1.9V-5.5V,输出电压范围为1.5V-3.4V,可编程,还能保证8mV的步长。

FAN53870具有多种保护功能,有助于确保系统的可靠性。FAN53870实现了软启动,以限制浪涌电流,还包括用于欠压闭锁、过流保护、欠压保护和过温保护的I2C保护故障寄存器

这样一款多功能、低静态功耗的PMIC不仅对智能手机设计者有吸引力。FAN53870的电源轨隔离功能可以让开发可穿戴设备、健康监测设备和机器视觉的系统设计人员受益。所有这些系统都有重叠的PMIC需求,因为它们通常需要精确的数字内核电源和隔离的、对噪声敏感的模拟电源。

FAN53870只是安森美半导体开发的领先业界的PMIC系列中的一款器件。

原文标题:新一代数码相机如何提高图像质量和电源能效?

文章出处:【微信公众号:安森美半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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原文标题:新一代数码相机如何提高图像质量和电源能效?

文章出处:【微信号:onsemi-china,微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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