IQE在IQepiMo模板技术开发方面取得了重大的里程碑进展

据麦姆斯咨询报道，先进半导体晶圆产品和材料解决方案的全球供应商IQE在IQepiMo模板（templates）技术开发方面取得了重大的里程碑进展，助力高性能体声波（BAW）射频滤波器量产。IQE客户的设备数据显示，与现有技术相比，使用IQE模板制造的BAW滤波器表现出更好的性能。

自2020年11月发布公告以来，IQE已经与潜在客户和合作伙伴一起试用了IQepiMo产品。最新数据表明，与传统技术相比，IQepiMo使客户能够实现改进的机电耦合系数（k2）——这是衡量射频滤波器性能的一项关键指标。

初步数据显示，在6GHz频率下，k2增大了40%。目前，产业界发现在这些较高频率下使用传统的BAW滤波器技术很难获得高性能。这些数据证实了使用IQepiMo可以获得优异的材料质量，在5G应用的高频范围内，能够显著提升BAW滤波器性能。

IQE及其合作伙伴仍在进行更多的试验和测试，以进一步完善这项技术，以满足高端BAW过滤器的各项需求。预计IQE模板将为高Sc掺杂的ScAlN BAW滤波器设计带来明显优势，该设计将在更高的5G应用频率下形成高性能滤波器的关键组成部分。随着BAW滤波器中Sc含量的增加，保证声学材料的高质量和高性能变得越来越具有挑战性。IQepiMo为客户提供了一条克服这些固有挑战的途径，同时仍然使用其当前的基础架构和流程。

IQepiMo建立在IQE cREO技术平台上（该平台于2018年3月被IQE收购），可提供的模板直径最大为200mm。

IQE首席技术官Rodney Pelzel博士表示，“IQE为广泛的半导体行业投资研发独特的材料技术，我们为客户提供改进的5G射频器件性能和解决方案，并且目前处于领先地位。这是我们IQepMo模板技术的关键里程碑，可以为客户提供必要的手段，使他们当前的基础架构和流程能够提供5G滤波器所需的苛刻性能，尤其是在更高的频率应用环境。”

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