中兴第二代量产屏下摄像技术，首发屏下 3D 结构光
2 月 19 日消息 根据中兴通讯终端事业部总裁、努比亚技术有限公司总裁倪飞的消息，中兴将在下周的 MWC 上海活动中展示第二代量产屏下摄像技术，首发屏下 3D 结构光。
据爆料，全新的中兴 Axon 30 Pro 将采用全新升级的第二代屏下摄像头技术，搭载高通骁龙 888 旗舰处理器，拥有 2021 年业界最强影像系统 “绝不凑数”，可能将首发三星 2 亿像素传感器 S5KGND。
去年 9 月份，首款量产屏下摄像的中兴天机 Axon 20 5G 上市，搭载高通骁龙 765G 处理器，采用 6.92 英寸 FHD + 屏幕，售价 2198 元起。
IT之家了解到，GSMA 之前已经宣布 2021 年 MWC（世界移动大会） 上海展将作为 GSMA MWC 系列的全球首秀回归。展会定于 2021 年 2 月 23 日至 25 日在上海新国际博览中心（SNIEC）举行，这将是近几个月来规模最大、最值得期待的同类型活动之一。
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
3D
+关注
关注
9文章
3022浏览量
115571 -
中兴
+关注
关注
6文章
2002浏览量
69982 -
摄像技术
+关注
关注
0文章
17浏览量
7563 -
量产
+关注
关注
0文章
80浏览量
23715
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
1500kW闪充桩+第二代刀片电池，9分钟充满，比亚迪“颠覆性技术”亮相！
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）“颠覆性技术”揭晓！3月5日晚，比亚迪正式发布了第二代刀片电池和配套的闪充技术，包括单枪1500kW功率的比亚迪闪充桩，以及闪充桩建设计划等。凭借本次推出
RZ/G 系列第二代产品：性能强劲的多功能芯片解决方案
/G2M、RZ/G2N 和 RZ/G2E，凭借其卓越的性能和丰富的功能，成为众多电子工程师的理想选择。下面我们就来详细了解一下这些产品的特点和优势。 文件下载： rzg2.pdf 产品概述 RZ/G 系列第二代产品旨在满足各种应用场景的需求，从工业自动化到智能家电，从汽车
3nm大规模导入光模块：Credo推出二代1.6T光DSP
基数交换机、密集GPU拓扑结构以及海量东西向流量，对光互连提出了极高要求：光模块DSP需在每瓦功耗下实现最大带宽、极低误码率，并具备完善的监控能力以保障运行稳定性与可维护性。 作为 Credo
比亚迪自研BMS AFE芯片护航第二代刀片电池
近日，比亚迪“闪充中国 改变世界”发布会刷屏全网，“5分钟充至70%、9分钟充至97%”的全球量产最快闪充速度，彻底终结充电焦虑，让“充电像加油一样快”从口号变成现实。而在1500kW闪充桩、第二代
信号干扰、轨迹漂移成过去式？第二代UWB技术在复杂工况下的硬核突围
四相科技第二代UWB通过物理层协议和信号频段的优化，实现了测距、功耗与安全性的全面升级，致力于为复杂工业环境提供更精准稳定、更具“确定性”价值的解决方案。随着技术生态的持续完善与应用场景的不断拓展，第二代UWB的性能与成本优势将
新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号
新品CoolSiCMOSFET650V第二代产品，新增75mΩ型号CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiCMOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计
类比半导体全新第二代高边开关芯片HD80152和SPI高边HD708204量产
致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质信号链芯片供应商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布全新第二代高边开关芯片HD80152和SPI高边HD708204量产。
新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V
TeledyneLeCroy发布第二代DisplayPort 2.1 PHY合规测试与调试解决方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自动化合规测试框架现已支持DisplayPort 2.1物理层（PHY）合规性测试。
新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
EasyPACK1C1200V13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiCMOSFET技术，集成NTC温度传感器，采用大电流PressFIT引脚，并预涂2.0代导热界面材料。产品型号：■F4
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱
类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD80012
致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布推出全新第二代高边开关芯片HD80012，单通道低内阻1.2mΩ产品。
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量产 为嵌入式系统实现单芯片智能
我们推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，这两款产品是对 Versal 产品组合的扩展，可为嵌入式系统实现单芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox车规级开发平台
第二代OrangeBox开发平台集成AI功能、后量子加密技术及内置软件定义网络的能力，应对快速演变的信息安全威胁。
类比半导体推出全新第二代高边开关芯片HD8004
致力于提供高品质汽车驱动芯片和高品质工业模拟芯片供应商上海类比半导体技术有限公司（下称“类比半导体”或“类比”）宣布推出全新第二代高边开关芯片HD8004，单通道低内阻4.3mΩ产品。
评论