长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍

据日经亚洲媒体报道，长江存储计划今年把产量提高一倍，计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆，并准备试产192层3D NAND闪存。，最快将于2021年中试产，不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。

两名知情人士表示，长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍，至10万片晶圆，约占全球总产量的7%。这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产48万片晶圆，而美光的月产能约为18万片。

业内人士表达了对长江存储的肯定，在国产替代大环境下，长江存储销量节节攀升。疫情期间更是表示其量产存储芯片打入华为Mate40。

市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片，而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

此前4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。

作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。据长江存储介绍，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

2020年三季度以来，长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片，但将逐步将更多产能转向后者。

据透露，长江存储最快将于2021年中展开192层3D NAND快闪晶片试产，将是中国半导体业者首次试产这类晶片。如三星、美光等市场一流供应商，目前仍在开发176层3D NAND晶片，而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

半导体行业掀产能扩张+国产替代潮

2018年-2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进，在市场份额高度集中的存储芯片市场，国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。具体表现在，长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中，尚存在较大的产能空间，在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩。

中信证券1月7日发布研报称，长江存储、华虹集团、中芯国际、长鑫存储等晶圆厂积极扩产，驱动国内半导体设备市场增速两倍于全球，行业产能紧张下扩产进度有望加快。其中，长江存储一期项目于2019年产能达到2万片/月，2020年扩产至5万片/月以上水平，预计一期项目未来将达到10万片/月产能，另外二期土建已于2020年6月开工，两期产能规划共30万片/月。

据中信证券整理的长江存储2018年至2020年三年间的约2500台设备招标情况，日本、美国厂商仍占据主导地位，但国内厂商占比逐年上升。2019年长江存储1088台设备招标中，中国厂商设备占比9.65%，而2020年长江存储1107台设备招标中，中国厂商设备占比达到14.36%，呈现上升趋势。北方华创、中微公司、盛美股份分别累计中标97台/45台/25台，位于国产厂商前列。

由此，中信证券表示，产能扩张+国产替代积极推进，看好2021年半导体设备行业发展。展望2021年，包括长江存储、长鑫存储等IDM厂、华虹无锡、华力集成、中芯国际等晶圆代工厂均有持续产能扩增计划，在当前行业产能紧张背景下，包括晶圆制造、封装测试设备订单均有望爆发。另一方面，中芯国际事件进一步激发国内厂商危机意识，国产新机台的验证工作有望积极推进，利好国内设备厂商。

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