富满电子投入建设LED芯片.5G射频芯片等项目

昨（28）日晚间，富满电子发公告宣布拟非公开发行股票募集资金不超过10.5亿元，投入建设LED芯片、Mini/Micro LED显示芯片、5G射频芯片等项目。

公告显示，富满电子本次非公开发行股票数量不超过4730万股（含约本数），发行完成后，公司股本将会相应增加，原股东的持股比例也将相应发生变化，公司主营业务和主营产品不会发生实质性变化。

富满电子主要产品包括电源管理类芯片、LED控制及驱动类芯片、MOSFET类芯片及其他芯片。2017年、2018年和2019年，公司LED控制及驱动类产品收入分别为14178.4万元、22241.99万元和29227.17万元。

本次非公开发行的募集资金总额不超过10.5亿元，用于“5G射频芯片、LED芯片及电源管理芯片生产建设项目”、“研发中心项目”及补充流动资金。

其中，5G射频芯片、LED芯片及电源管理芯片生产建设项目建设期为2年，拟在广东省深圳市坪山区建设厂房，通过购置国内生产设备及检测设备，并结合公司芯片设计、封装工艺技术，用于生产5G射频芯片、LED芯片及电源管理芯片以满足下游客户对相关产品产能的需求，新增生产线生产产能将达到380，000.00万PCS/年。

项目运营期内，达产后可实现年均营业收入6.43亿元，年均净利润6，261.32万元，项目预期效益良好。税后静态投资回收期为8.02年（含建设期），税后内部收益率为12.90%，具有较好的经济效益。

富满电子表示，目前随着小间距、MiniLED显示屏市场的快速发展，对于配套的小间距LED芯片新兴需求越来越高。本项目的的实施，有利于加大公司在LED显示屏芯片市场的份额，同时，通过布局5G射频开关芯片领域进一步夯实公司在LED显示屏芯片和电源管理芯片市场的地位。

研发中心项目建设期为24个月，由富满电子实施，项目计划在深圳市前海桂湾二单元03街坊的前海鸿荣源中心A塔，规划建筑面积为3，000平方米，将依托现有研发中心，拟实施5G射频前端芯片以及Mini/Micro LED显示芯片的深度研发及产业改造。

本次研发中心项目重点研发方向之一为MiniLED显示驱动芯片在向系统微小化、高精度（一致性）、Decouple、高刷新率、高扫描数（96扫、128扫）的方向发展，芯片封装从高脚位的QFN升级到BGA（104Pin以上），以实现LED显示屏驱动的高度集成化设计。

研发中心项目并不直接产生利润，项目建成后效益主要体现为公司整体研发实力和创新能力的大幅提高，有利于公司后续开发更贴合市场需求的产品，巩固核心竞争力。

富满电子称，公司将在完成MiniLED显示驱动高度集成化芯片的基础上，进一步积累研发经验与技术，以应对未来更高一级的Micro LED显示方案的需求，研发集成度更高，性能更加优良的驱动芯片。

此外，公司在1-0.3mm点间距的MiniLED显示驱动芯片领域加大研发投入，符合公司布局的长期发展战略。本次研发中心建设研究方向和产品与公司现有在研项目技术采用了相似的技术路线和研制方案，为5G射频前端芯片以及Mini/Micro LED显示驱动IC深度开发奠定了技术基础。

据LEDinside了解，目前，富满电子司小间距LED已实现量产，积极开发MiniLED和Micro LED产品，公司在1-0.3mm点间距的小间距LED和MiniLED芯片已经领域取得关键突破，未来有关产品也有望快速放量。

富满电子将通过募投项目的实施扩大生产规模，一方面满足客户和市场的要求，与市场增长的需求相匹配，有利于市场份额持续扩大；另一方面通过扩大生产形成规模效应，有效降低成本，提高利润水平，促进公司的快速发展。
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