华为哈勃布局第二代半导体材料

为应对技术“卡脖子”的局面，华为除了采用“高库存”战略保证产品的正常交付，并且成立了哈勃科技投资有限公司，在坚持自研的前提下投资相关领域实现弯道超车。

在哈勃投资成立近两年的时间里已经陆续投资多家半导体公司，而这次华为瞄准的却是第二代半导体材料。在半导体材料领域一般划分成三代，第一代半导体材料是以硅为主导，第二代则是以砷化镓、磷化铟为代表，第三代则是以氮化镓和碳化硅为主导。而此时华为哈勃“被迫营业”，这次瞄准的是一家砷化镓及磷化铟衬底生产商。

近日根据工商信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司发生工商变更，新增股东哈勃科技投资有限公司，公司注册资本由9547万元人民币增加至1.25亿元人民币。在去年12月10日云南鑫耀所属的云南锗业曾发布公告称，同意控股子鑫耀半导体接受哈勃科技投资有限公司以货币方式向其增资人民币3000万元。

从鑫耀半导体与华为之前的合作看，其试生产的6英寸砷化镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片经华为海思半导体有限公司测试验证，并通过了华为海思公司现场核查，已成为华为上游产业链的一环。而华为在未来物联网领域的发力，对于第二代半导体材料的需求会更加迫切。

华为哈勃此前已经投资三家第三代半导体材料企业。如今增资鑫耀半导体，对于此次出手华为定将为日后争夺芯片制造主动权起到了至关重要的作用。与其每天幻想光刻机的到来不如放弃幻想造芯片，对此大家怎么看呢？
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