0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

基本cascode调节bias的经验分享

通向模拟集成电路设计师之路 来源:通向模拟集成电路设计师 作者:通向模拟集成电路 2020-12-29 11:15 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

在日常工作中,大家应该都会经常遇到需要调节cascode的bias这种情况。不敢自吹自擂的说,作者君目前还是能挺快的调好管子的参数的。不过回想起来刚学模拟电路的时候,作者君也是曾经感觉是如打地鼠一般的痛苦。

所以作者君就想跟小读者们分享一下自己的经验,帮助大家更快的跳过这个“打地鼠”的环节。

PS:大部分情况下,我们假设一旦电流确定,Vgs也是确定的。

3ae1cb48-4962-11eb-8b86-12bb97331649.png

如图这样的一个bias 产生电路。我们有了从外面拉进来的两路电流Iref,所以这左边三个管子就是我们调节这个bias的全部工作量了。应该很容易吧?

让我们试试看?

首先确定V1.
因为V1是diode M1产生的,对于右边的M2和M3来说,它包括两个电压,Vgs3和Vds2. 我们来分别看看这两方面:

Vgs3:因为电流已经确定,所以如果M3在饱和区,那么Vgs3也是确定的。

如果Vdsat3大概在100mV到200mV之间(作者君的习惯),并且M3的Vds3也大概比Vdsat3多100mV左右,作者君会认为M3的size就调好了,不需要动了。

如果Vdsat3的数值太小,也就是这个管子太过于strong了,减小(W/L)3就好;

如果Vdsat3的数值太大,也就是这个管子太过于weak了,增大(W/L)3就好;

Vds2:M2是主要的电流源,所以一般给它预留的Vdsat2,以及Vds2会稍微大一些。比如作者君一般的习惯,Vdsat2会给大概150mV到250mV的预留。同样Vds2会给多100mV左右的预留。

假设我们已经调节好了M3的size。如果此时看到的Vds2在我们预留范围内,那么就大功告成了。撒花!

如果Vds2过小,那么就减小V1吧!因为一个饱和区的M3,V3其实是会跟着V1一起浮动的。减小V1就很容易了,M1是个diode嘛!要让M1的Vgs变大,那就减小(W/L)1.

跟V1相关的M3已经确定了,我们来花力气针对一下和V2有关的M2吧!

首先,我们还是看看M2的周围环境:M3已经确定的情况下,V3是基本固定的;

此时,如果Vgs2大小合适,也就是Vdsat2是在前面提到的范围内,那就哈哈哈,完工!

如果Vgs2不够好,那就调M2吧!

Vgs2如果太小,说明M太strong,减小(W/L)2就好;

Vgs2如果太大,说明M太weak,增大(W/L)2就好;

最后,我们在已经确定了M1,M2,M3的情况下,再重新看看M2和M3的Vds。

可能出现的一种情况是:M3的Vds3有点大。假设这种情况:理想的Vds3是250mV,Vds2是350mV,但是此时的Vds3是500mV。
大家想想看,为什么会出现这样的情况呢?
一般来说,这是由于比较大的Vth2造成的。
因为Vgs2=Vds2+Vds3,所以如果此时的Vth2是600mV,Vdsat2是250mV,就会出现Vds2是350mV,而Vds3是500mV的情况。

怎么办?或者说需要调吗?
那就看你的要求啦!如果一般情况下你的电流源的负载会让M3的drain这边产生大概1V的电压,当你的Vdd是1.8V的时候,等效M3的Vds3也有450mV。作者君觉得,放过自己未尝不是一件好事情?^_^

如果你的Vdd只有1.6V(不要问我为什么设置这样的Vdd,当然是为了好算啊!1V+250mV+350mV),嘿嘿嘿,没办法,革命尚未成功……

因为调节M2和M3的过程就是打地鼠,如果只是Vds3造成的问题,我们为什么不换个思考方向呢?

当当当!surprise!加个电阻R1就好了!
这个电阻分去了Vds3上面不应该有的500mV-250mV=250mV的电压,让这个bias的产生支路和有外界loading的右边各个支路的情况变得接近。所以能过让current mirror变得更准确。

3b0332e2-4962-11eb-8b86-12bb97331649.png

最后留个课堂作业吧?有时候,我们能看到有这样的电阻R2-4存在,大家说说它有什么作用?

3b2337f4-4962-11eb-8b86-12bb97331649.png

PS:最后多说一句,如果需要有倍数的加大current mirror,大家务必保证L是一样的。比如说W/L=1u/0.5u是bias产生模块里面2uA对应的size,那么要mirror出4uA的电流,应该是W/L=2u/0.5u,而不是说只要ratio成比例就行。大家可以试试看4u/1u能不能让你得到精确的mirror的4uA电流?

原文标题:基本cascode单元的细节讨论

文章出处:【微信公众号:通向模拟集成电路设计师之路】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电路
    +关注

    关注

    173

    文章

    6064

    浏览量

    177492
  • 电流
    +关注

    关注

    40

    文章

    7194

    浏览量

    140382

原文标题:基本cascode单元的细节讨论

文章出处:【微信号:analogIC_gossip,微信公众号:通向模拟集成电路设计师之路】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    原厂 FZH1693 低功耗的字段式LCD显示驱动控制专用芯片

    、SDA)串行传输数据,可以设置1/3Bias和1/2Bias驱动模式,Line和Frame翻转模式。可广泛应用在电能表、功率计等仪器仪表上。本产品性能优良,质量可靠。 功能特点  工作电压范围
    发表于 11-05 09:42

    SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解

    Cascode简介 碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势,特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。为了实现最低的RDS.A,需要权衡的一点是其
    的头像 发表于 06-14 23:47 951次阅读
    SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(<b class='flag-5'>cascode</b>)结构详解

    一步到位,Moku数字PID控制器实现系统实时调节与验证

    PID控制被广泛应用于实验控制和工业自动化系统中,但在实际调试中,传统的PID控制器往往需要大量计算与经验积累,调节过程既繁琐又耗时。而通过使用Moku:Pro的数字PID控制器,您可以根据增益
    的头像 发表于 06-03 12:00 1093次阅读
    一步到位,Moku数字PID控制器实现系统实时<b class='flag-5'>调节</b>与验证

    高速PBC设计中揭秘DC-BIAS效应:电容“缩水”对电源噪声的影响

    高速先生成员--黄刚 不可能吧?电容不还是那个电容吗?为什么接到1V的直流电压时和接到3.3V的直流电压效果会不一样?相信大多数粉丝都不知道这个point吧。的确,如果大家没听过DC-Bias这个
    发表于 05-12 14:03

    简述电源设计经验技巧

    在电源设计领域中,经验的积累往往决定了产品的稳定性和可靠性。若是电子新人了解到一些实用的设计技巧,电源设计将事半功倍。下面将总结大佬的14条电源设计经验,以此提供参考和指导。
    的头像 发表于 04-23 09:26 693次阅读

    安森美SiC JFET共源共栅结构详解

    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共栅场效应晶体管)在硬开关和软开关应用中有诸多优势,SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅(cascode)结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第
    的头像 发表于 03-26 17:42 1894次阅读
    安森美SiC JFET共源共栅结构详解

    安森美SiC cascode JFET并联设计的挑战

    随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET,内容包括Cascode(共源共栅)关键参数和并联振荡的分析,以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。
    的头像 发表于 02-28 15:50 1160次阅读
    安森美SiC <b class='flag-5'>cascode</b> JFET并联设计的挑战

    安森美SiC Cascode JFET的背景知识和并联设计

    随着Al工作负载日趋复杂和高耗能,能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET,内容包括Cascode(共源共栅
    的头像 发表于 02-27 14:10 1557次阅读
    安森美SiC <b class='flag-5'>Cascode</b> JFET的背景知识和并联设计

    Bias-Tee供电与宽带有源器件 (放大器、光电探测器、调制器、直调激光器)

    本帖最后由 jf_53070423 于 2025-1-20 15:29 编辑 Bias-Tee供电与宽带有源器件(放大器、光电探测器、调制器、直调激光器)Bias Tee是一种三端口网络器件
    发表于 01-20 15:24

    ADS1299 EEG的 BIAS_IN 和SRB2 PIN 怎么接?

    ADS1299小弟新人!想请教一下!ADS1299 EEGBIAS_IN和SRB2 PIN怎么接啊? BIAS_IN是右腿驱动电极和SRB2是参考电极?
    发表于 01-20 09:48

    正反馈调节与负反馈调节的区别

    在生物体和工程系统中,反馈调节是一种普遍存在的控制机制,它通过监测系统的状态并作出相应的调整来维持系统的稳定性或实现特定的功能。正反馈调节和负反馈调节是两种基本的反馈类型,它们在行为和效果上有着本质
    的头像 发表于 01-18 09:47 8495次阅读

    ADS1211接成差动输入,不用BIAS那个引脚的话 输入的差动电压是多少啊?

    ADS1211接成差动输入 ,不用BIAS那个引脚的话 ,输入的差动电压 是多少啊? 输入端口相对于地的电压 要高多少呢?
    发表于 01-09 08:29

    ADS1299-4 Bias drive signal的具体作用是什么?

    楼主最近需要做一个多通道生理信号采集系统,根据要求,最后芯片选型为ADS1299-4。 由于我是第一次做这方面的东西,很多概念还不是很懂,在看ADS1299的datasheet的时候,关于Bias
    发表于 12-30 08:11

    ADS1299菊花链级联四片,每片的BIAS怎么连接?

    打算把四片级联,SRB1连到一块了。 但是这些BIAS能连到一块吗?还是怎么连接?求指教
    发表于 12-20 11:15

    LMP91000EVM开发板为什么无法修改bias

    电压,但是用万用表测量RE对地电压一直为0,WE对地电压一直为1.24V,不论设置bias为多少都没有变化(修改寄存器值时候已经解锁),而且修改bias 的极性也没有变化,但是通过iic读寄存器数据
    发表于 12-18 12:11