基于量子隧穿效应的直流摩擦发电新机制说明

引言

机械能-电能转换技术被认为具有广泛的运用前景，特别在微型化传感器、可穿戴电子器件及便携式设备的自供电方面有着巨大的市场潜力。其中，摩擦纳米发电技术（TENG）取得了令人瞩目的发展。传统的摩擦纳米发电技术基于介电材料之间的摩擦起电（contact electrification），往往能够获得高电压（静电荷积累）。然而由于常用聚合物材料的高阻抗，基于介电质位移电流（dielectric displacement current）原理产生的瞬时电流往往非常微弱。同时，其产生的交流电必须通过整流转换为直流电加以利用。

成果介绍

2017年，加拿大阿尔伯塔大学（University of Alberta）加拿大首席杰出科学家（Canada Excellent Research Chair），国家“外专****”专家Thomas Thundat 教授课题组博士生Jun Liu（刘骏）在一次偶然的导电原子力显微镜（C-AFM）实验中，发现在金属-二维半导体材料摩擦体系中存在一种特殊的连续直流电生成现象（J. Liu, et al. Nature nanotechnology 13 (2), 112）。近日，刘骏博士等人通过原子层沉积技术（ALD）对界面氧化层厚度的精确调控，发现了直流电流随金属-绝缘体-半导体摩擦体系中绝缘体厚度的指数衰减关系，验证了摩擦直流电的量子隧穿机制。基于这一发现，他们在宏观体系中成功验证了硅基材料的直流发电机雏形，硅材料表面1-2 纳米的氧化薄层提供了一个天然的电子隧穿通道，其连续直流电流密度高达10 A/m2。该项成果以题为“Sustained electron tunneling at unbiased metal-insulator-semiconductor triboelectric contacts”在线发表在Nano Energy。合作单位有阿尔伯塔大学材料系系主任Ken Cadien教授课题组，韩国Sogang大学Jungchul Lee教授课题组，以及上海交通大学“****”专家胡志宇教授课题组。

图文导读

图1摩擦直流电的电流输出特征

(a) 导电原子力显微镜（C-AFM）原理示意图

(b) p型硅样品的摩擦直流电C-AFM输出信号（探针作用力对电流输出影响）

(c) 探针作用力对探针-样品接触面积和形变影响

(d) 有效氧化层厚度对C-AFM电流输出值的影响

(e) 宏观体系测试示意图，演示用探针为万用表探针

(f) 和 (g) 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦示意图

(h) 和 (i) 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦条件下的短路电流输出信号

(j) Si表面氧化层厚度对输出电流的影响，其指数型衰减趋势与电子的量子隧穿机理一致

图2摩擦直流电的电压输出特征

(a) 和 (b) 分别为往复摩擦和连续旋转摩擦条件下的开路电压输出信号

(c) 和 (d) 分别为摩擦（非平衡）和静止（平衡）状态下的界面能带图

(e) C-AFM体系中外加偏压对输出电流的影响

(f) Si表面氧化层厚度对开路电压和界面电场的影响

图3金属功函数对界面电势差方向的影响

(a)-(c) 分别为铜、金、铝材料探针对摩擦界面电势差方向的影响

图4硅基摩擦直流电机雏形的性能表征

(a) 单针摩擦系统在不同负载下的电流电压输出

(b) 单针摩擦系统在不同负载下的电流密度和功率密度输出

(c) 单针系统在硅材料上产生的摩擦直流电对电容器进行充电

小结

金属-绝缘体-半导体摩擦系统中基于量子隧穿效应直流电效应的发现，为摩擦电的利用打开了新思路，对摩擦界面的基础物理有了更加深入的探索。利用其原理进行规模化探索具有巨大的运用前景。

审核编辑：符乾江