苹果开始为第三代iPhone SE作准备
今年上半年，苹果发布了搭载当时最强A13 Bionic 处理器的iPhone SE 2，这款手机由于超高的性价比，一经推出就吸引了不少消费者入手。最近有外国媒体报导，苹果已经开始为第三代iPhone SE作准备。
iPhone SE
据悉，iPhone SE 3将会配备6.06寸屏幕，这比起iPhone SE 2 的4.7寸要大得多。预计iPhone SE 3将会Touch ID指纹传感器，但尚未确定会内嵌在Home键、电源键中，或是采用屏下方案。该机将后置双摄，同时还会跟上iPhone 12的步伐，全面支持5G网络。
至于推出日期，著名分析师郭明錤表示它不会在2021年初推出，同时外国分析师Blayne Curtis、Thomas O‘Malley和Tim Long也一致认为，苹果不会在2021年为SE系列推出新品，所以第三代iPhone SE 最快也要2022年才有望亮相。
责任编辑:pj
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
iPhone
+关注
关注
28文章
13525浏览量
216937 -
苹果
+关注
关注
61文章
24613浏览量
208770 -
指纹传感器
+关注
关注
6文章
199浏览量
64527
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
博世第三代碳化硅芯片：性能跃升20%，重构电动汽车效率新标杆
2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“综合性能提升20%”为核心突破，通过全球产能布局与技术革新，为电动汽车电驱系统注入高效能量控制新动能，标志着碳化硅半导体在电动出行领域的技术与产业双重突破。
瑞可达推出第三代模块化交直流一体充电插座
瑞可达凭借深厚的技术积累与创新精神，推出第三代模块化交直流一体充电插座，以全新设计突破行业瓶颈，为新能源汽车充电系统提供更优解决方案。
龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台
今天，龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代（G3） 超结 MOSFET技术平台。
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理，具备高带宽、高精度和高分辨率，适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响，整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成：核心
发表于 12-25 09:12
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日，第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席，盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基础，将其定位为平面栅碳化硅（SiC）MOSFET技术的一次重要演进，其目标不仅在于追赶，更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平台概述 B3M系列是基本半导体推出的第三代
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中，电镜技术发挥着不可或缺的作用
第三代半导体的优势和应用领域
随着电子技术的快速发展，半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅（Si）半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求，因此，第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓（GaN
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析（1）
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代电池量产在即
，这一革新使电池储电能力显著增强，能量密度提升 15%。在相同体积下，它能储存更多电能，为手机制造商打造轻薄产品提供了技术支撑。 彭博社指出，苹果和三星是 TDK 的主要客户，各自贡献了公司约 10% 的总收入。
评论