制造高端芯片的两大难点被攻破

终于突破了，中国芯传来好消息，制造高端芯片的两大难点被解决！

截至2019年，我国芯片自给率仅有30%。

这意味着，国内超过70%的芯片，都是通过进口渠道获得，这是一个相当可怕的数据。70%的芯片都需要进口，这揭示出两个让人无奈的事实。第一，我国每年需要拿出一大笔钱对外购买芯片；第二，我们随时都面临着被断供芯片的危机。

而更糟糕的是，现在第二个事实已经在部分中企身上应验了。美国之所以对华为实行芯片断供，就是因为其看到了我国在芯片制造领域的巨大短板。

必须要解决国内芯片领域的短板！

不然，华为今天的遭遇，将会原封不动地降临到其他中国企业身上。

值得庆幸的是，华为今天的遭遇，已经引起我们国家重视。在今年8月，国家出台了多项扶持国内半导体产业的政策，同时，国家还定下计划，在2025年，中国芯片自给率必须要达到70%。

五年时间，让国内芯片的自给率从30%飙升至70%，这是一个相当大的目标，也很不好实现。当然，不好实现，并不意味着不可能实现。特别是，近段时间国内半导体公司频频传来捷报，更是助长了全体国人的信心。

就在本月，中国芯传来好消息！终于突破了，制造高端芯片的两大难点被中国成功解决！

先说高端芯片制造的第一大难点：在芯片制造过程中，光刻胶是不可或缺的材料。而以往，国内只能制造生产低端芯片的光刻胶，而生产高端芯片所需的光刻胶，则几乎都被日韩半导体企业所垄断。

这就导致，如果我国想制造高端芯片，那就必须向日韩光刻胶制造商购买，而只能对外采购，无疑会极大地降低中国芯的抗风险能力。值得欣慰的是，现在高端光刻胶的问题终于突破了！

就在几天前，宁波南大光电发布重要公告，内容大意是：该司生产的高端ArF光刻胶已经通过各项测试，良品率达标。据介绍，南大光电此次通过测试的ArF光刻胶，可以用于90nm-7nm技术节点的集成电路制造工艺。

可用于90nm-7nm工艺，这意外着，后续我国在生产高端芯片时，无需再担心没有自主可控的高端光刻胶可用的问题。

而除了实现高端光刻胶国产化的目标外，在高端芯片封测的这一大难题上，我们也终于取得突破！可能有人还不了解，芯片制造的最后环节，就是封测。而封测技术的强弱，则将决定一颗芯片是否好用。

特别是高端芯片，封测步骤更是至关重要，也是一大难点！而在此之前，国内企业掌握的封测技术，都较为低端，无法用于高端芯片。

但如今，国内的欧菲光集团正式传来好消息，该司已成功研发半导体封装用高端引线框架。据悉，这一次欧菲光集团研发的“引线框架”，就是一种较为先进的封测技术，可用于高端芯片的封测！

一个月之内传来两个有关高端芯片制造的捷报，不少国内网友也是感慨道：越来越有信心了，照这个速度，等到了2025年，我们还真的有可能实现芯片自给率达到70%的目标。

事实上，这并非网友盲目乐观，因为在上述两家国内半导体公司传来突破的消息之前，中芯国际还传来一个重磅消息，其研发的N＋1芯片制程工艺已经成功流片。

而根据测试，用中芯国际N＋1工艺制造的芯片，整体水准与台积电生产的7nm芯片相当接近。

解决了高端光刻胶、高端芯片封测技术这两个大难题，再加上中芯国际也已经可以制造水平接近台积电7nm的芯片。

这意味着，我国已经初步具备生产高端芯片的基础。后续随着这三家的技术进一步完善，五年后，我国确实有望实现芯片自给率达到70%的目标。

而美国的封锁，也将不攻自破！
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