0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星部署扩展EUV光刻工艺,争取提高性能

如意 来源:快科技 作者:万南 2020-12-05 09:14 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

继SK海力士日前宣布在M14和建设中的M16工厂均引入EUV光刻机后,三星也坐不住了。

按照三星的说法,自2014年以来,EUV光刻参与的晶圆超过了400万片,公司积累了丰富的经验,也比其它厂商掌握更多诀窍,领先对手1到2年。

据悉,三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV,第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺,提供工艺精度,从而可以减少生产时间、降低成本,并提高性能。

尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV,但层数过少对效率提升并不明显,也就是单位成本高,毕竟EUV光刻机买一台要10亿元。三星这方面倒是有优势,因为自己还有晶圆厂,“东方不亮西方亮”光刻机的利用率很高。


责编AJX

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15891

    浏览量

    182880
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5349

    浏览量

    131705
  • EUV光刻机
    +关注

    关注

    2

    文章

    129

    浏览量

    15792
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三星公布首批2纳米芯片性能数据

    三星公布了即将推出的首代2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比第二代3nm工艺性能提升5%,功耗
    的头像 发表于 11-19 15:34 1042次阅读

    【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度在光刻工艺中的反馈控制优化研究

    一、引言 玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛,光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节,对玻璃晶圆的质量要求极为严苛 。总厚度偏差(TTV)是衡量玻璃晶圆质量的重要指标,其厚度
    的头像 发表于 10-09 16:29 481次阅读
    【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度在<b class='flag-5'>光刻工艺</b>中的反馈控制优化研究

    白光干涉仪在EUV光刻后的3D轮廓测量

    EUV(极紫外)光刻技术凭借 13.5nm 的短波长,成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺,其光刻后形成的维图形(如鳍片、栅极、
    的头像 发表于 09-20 09:16 540次阅读

    EUV光刻胶材料取得重要进展

    电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破, 当制程节点持续向7nm及以下迈进,传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求,此时,波长13.5nm的极紫外(EUV光刻技术
    的头像 发表于 08-17 00:03 4032次阅读

    3D 共聚焦显微镜 | 芯片制造光刻工艺的表征应用

    光刻工艺是芯片制造的关键步骤,其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下,光刻胶图案维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级,传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦
    的头像 发表于 08-05 17:46 791次阅读
    3D 共聚焦显微镜 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻工艺</b>的表征应用

    光刻工艺中的显影技术

    一、光刻工艺概述 光刻工艺是半导体制造的核心技术,通过光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化,再经过曝光、显影、刻蚀等工艺过程,将设计在掩膜上的图形转移到衬底上,是现代半导体、微
    的头像 发表于 06-09 15:51 1863次阅读

    回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

    深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
    发表于 05-19 10:05

    今日看点丨美国宣布:征收高达3403%关税!;传三星停产DDR4

    改进EUV光刻制造技术。与此同时,三星还获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权。   据外媒报道,ASML现在似乎放弃了与
    发表于 04-22 11:06 1468次阅读

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
    发表于 04-18 10:52

    光刻工艺的主要流程和关键指标

    光刻工艺贯穿整个芯片制造流程的多次重复转印环节,对于集成电路的微缩化和高性能起着决定性作用。随着半导体制造工艺演进,对光刻分辨率、套准精度和可靠性的要求持续攀升,
    的头像 发表于 03-27 09:21 3051次阅读
    <b class='flag-5'>光刻工艺</b>的主要流程和关键指标

    EUV光刻技术面临新挑战者

      EUV光刻有多强?目前来看,没有EUV光刻,业界就无法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻
    的头像 发表于 02-18 09:31 1915次阅读
    <b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>技术面临新挑战者

    芯片制造:光刻工艺原理与流程

    机和光刻胶:   光掩膜:如同芯片的蓝图,上面印有每一层结构的图案。 ‍   ‍光刻机:像一把精确的画笔,能够引导光线在光刻胶上刻画出图案。   光刻胶:一种特殊的感光材料,通过
    的头像 发表于 01-28 16:36 3105次阅读
    芯片制造:<b class='flag-5'>光刻工艺</b>原理与流程

    三星否认重新设计1b DRAM

    问题,在2024年底决定在改进现有1b nm工艺的同时,从头设计新版1b nm DRAM。 不过,三星通过相关媒体表示相关报道不准确。尽管三星否认了重新设计,但有业内人士透露,三星的目
    的头像 发表于 01-23 10:04 1304次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新
    的头像 发表于 01-22 14:04 1334次阅读

    日本首台EUV光刻机就位

    据日经亚洲 12 月 19 日报道,Rapidus 成为日本首家获得极紫外 (EUV) 光刻设备的半导体公司,已经开始在北海道芯片制造厂内安装极紫外光刻系统。 它将分四个阶段进行安装,设备安装预计在
    的头像 发表于 12-20 13:48 1420次阅读
    日本首台<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>机就位